(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 108428787 A(43)申请公布日 2018.08.21
(21)申请号 201810247406.8(22)申请日 2018.03.23
(71)申请人 北京航天微电科技有限公司
地址 100854 北京市海淀区永定路50号(72)发明人 孟腾飞 史向龙 王永安 徐浩
陈瑞 边旭明 段斌 (74)专利代理机构 北京轻创知识产权代理有限
公司 11212
代理人 杨立(51)Int.Cl.
H01L 41/29(2013.01)H01L 41/047(2006.01)H01L 41/04(2006.01)
权利要求书2页 说明书10页 附图9页
(54)发明名称
一种SAW芯片及其制备方法、制备系统(57)摘要
本发明公开了一种SAW芯片及其制备方法、制备系统，涉及SAW技术领域。该制备方法包括：在衬底上制备叉指图层，得到SAW晶圆，叉指图层包括：内部电极、汇流条、外部电极和叉指图形，叉指图形由外部电极的突出部分别与汇流条的突出部和内部电极的突出部叉指形成，内部电极和外部电极被汇流条和叉指图形隔开；在SAW晶圆的汇流条上制备绝缘凸块，绝缘凸块覆盖在汇流条上；在绝缘凸块上制备连接内部电极和外部电极的导电片，得到SAW芯片。本发明提供的一种SAW芯片及其制备方法、制备系统，不仅使得到的SAW芯片能够直接进行片上测试，还能避免SAW芯片的内部电极与汇流条短路，提高了制作SAW芯片的良品率。
CN 108428787 ACN 108428787 A
权 利 要 求 书
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1.一种SAW芯片制备方法，其特征在于，包括：在衬底上制备叉指图层，得到SAW晶圆，所述叉指图层包括：内部电极、汇流条、外部电极和叉指图形，所述叉指图形由所述外部电极的突出部分别与所述汇流条的突出部和所述内部电极的突出部叉指形成，所述内部电极和所述外部电极被所述汇流条和所述叉指图形隔开；
在所述SAW晶圆的汇流条上制备绝缘凸块，所述绝缘凸块覆盖在所述汇流条上；在所述绝缘凸块上制备连接所述内部电极和所述外部电极的导电片，得到SAW芯片。2.根据权利要求1所述的SAW芯片制备方法，其特征在于，所述在所述SAW晶圆的汇流条上制备绝缘凸块，具体包括：
制作第一掩膜版；
在所述SAW晶圆上制备负性光刻胶薄膜；
将所述第一掩膜版覆盖在所述负性光刻胶薄膜上，且所述第一掩膜版的透光窗口覆盖所述汇流条；
对所述负性光刻胶薄膜进行曝光；
使用负胶显影液对曝光后的负性光刻胶薄膜进行显影，得到覆盖在所述汇流条上的绝缘凸块。
3.根据权利要求1或2所述的SAW芯片制备方法，其特征在于，所述在所述绝缘凸块上制备连通所述内部电极和所述外部电极的导电片，具体包括：
制作第二掩膜版；
在制备所述绝缘凸块后的SAW晶圆上制备反转光刻胶薄膜；将所述第二掩膜版覆盖在所述反转光刻胶薄膜上，且所述第二掩膜版的不透光区域覆盖所述内部电极、所述绝缘凸块和所述外部电极，不覆盖所述汇流条；
对所述反转光刻胶薄膜进行曝光；
使用反转光刻胶显影液对曝光后的反转光刻胶薄膜进行显影，得到空出所述内部电极、所述绝缘凸块和所述外部电极的反转光刻胶膜层；
在所述反转光刻胶膜层上制备导电膜层；溶解所述反转光刻胶膜层，得到覆盖在所述内部电极、所述绝缘凸块和所述外部电极上，且连接所述内部电极和所述外部电极的导电片。
4.根据权利要求3所述的SAW芯片制备方法，其特征在于，所述反转光刻胶膜层的厚度大于所述导电膜层的厚度。
5.一种SAW芯片制备系统，其特征在于，包括：晶圆制作装置，用于在衬底上制备叉指图层，得到SAW晶圆，所述叉指图层包括：内部电极、汇流条、外部电极和叉指图形，所述叉指图形由所述外部电极的突出部分别与所述汇流条的突出部和所述内部电极的突出部叉指形成，所述内部电极和所述外部电极被所述汇流条和所述叉指图形隔开；
绝缘凸块制作装置，用于在所述SAW晶圆的汇流条上制备绝缘凸块，所述绝缘凸块覆盖在所述汇流条上；
导电片制作装置，用于在所述绝缘凸块上制备连接所述内部电极和所述外部电极的导电片，得到SAW芯片。
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权 利 要 求 书
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6.根据权利要求5所述的SAW芯片制备系统，其特征在于，所述绝缘凸块制作装置具体用于制作第一掩膜版；在所述SAW晶圆上制备负性光刻胶薄膜；将所述第一掩膜版覆盖在所述负性光刻胶薄膜上，且所述第一掩膜版的透光窗口覆盖所述汇流条；对所述负性光刻胶薄膜进行曝光；使用负胶显影液对曝光后的负性光刻胶薄膜进行显影，得到覆盖在所述汇流条上的绝缘凸块。
7.根据权利要求5或6所述的SAW芯片制备系统，其特征在于，所述导电片制作装置具体用于制作第二掩膜版；在制备所述绝缘凸块后的SAW晶圆上制备反转光刻胶薄膜；将所述第二掩膜版覆盖在所述反转光刻胶薄膜上，且所述第二掩膜版的不透光区域覆盖所述内部电极、所述绝缘凸块和所述外部电极，不覆盖所述汇流条；对所述反转光刻胶薄膜进行曝光；使用反转光刻胶显影液对曝光后的反转光刻胶薄膜进行显影，得到空出所述内部电极、所述绝缘凸块和所述外部电极的反转光刻胶膜层；在所述反转光刻胶膜层上制备导电膜层；溶解所述反转光刻胶膜层，得到覆盖在所述内部电极、所述绝缘凸块和所述外部电极上，且连接所述内部电极和所述外部电极的导电片。
8.根据权利要求7所述的SAW芯片制备系统，其特征在于，所述反转光刻胶膜层的厚度大于所述导电膜层的厚度。
9.一种SAW芯片，其特征在于，使用如权利要求1至4中任一项所述的SAW芯片制备方法或使用如权利要求5至8中任一项所述的SAW芯片制备系统制备得到。
10.一种SAW芯片，其特征在于，包括SAW晶圆，在所述SAW晶圆上设置有叉指图层，所述叉指图层包括：内部电极、汇流条、外部电极和叉指图形，所述叉指图形由所述外部电极的突出部分别与所述汇流条的突出部和所述内部电极的突出部叉指形成，所述内部电极和所述外部电极被所述汇流条和所述叉指图形隔开，所述汇流条上覆盖有绝缘凸块，所述绝缘凸块上设置有连接所述内部电极和所述外部电极的导电片。
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说 明 书
一种SAW芯片及其制备方法、制备系统
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技术领域
[0001]本发明涉及SAW技术领域，尤其涉及一种SAW芯片及其制备方法、制备系统。背景技术
[0002]SAW(Surface Acoustic Wave，声表面波)器件主要分为阻抗元级联结构和纵向耦合结构，在阻抗元级联结构中，串联谐振器的电极连接信号端，同时包围着并联谐振器需要接地的电极；在纵向耦合结构中，处在两侧的换能器的电极与信号端相连，并包围着中间换能器需要接地的电极。
[0003]在这两种结构中，这种被信号汇流条包围的“内部电极”无法通过单层平面半导体加工方法引出，一般在后道封装中采用电气互联工艺将内部电极接地。然而，采用后道电气互联工艺将内部电极引出，得到的SAW芯片无法进行片上测试。发明内容
[0004]本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种SAW芯片及其制备方法、制备系统。
[0005]本发明解决上述技术问题的技术方案如下：[0006]一种SAW芯片制备方法，包括：[0007]在衬底上制备叉指图层，得到SAW晶圆，所述叉指图层包括：内部电极、汇流条、外部电极和叉指图形，所述叉指图形由所述外部电极的突出部分别与所述汇流条的突出部和所述内部电极的突出部叉指形成，所述内部电极和所述外部电极被所述汇流条和所述叉指图形隔开；
[0008]在所述SAW晶圆的汇流条上制备绝缘凸块，所述绝缘凸块覆盖在所述汇流条上；[0009]在所述绝缘凸块上制备连接所述内部电极和所述外部电极的导电片，得到SAW芯片。
[0010]本发明的有益效果是：本发明提供的一种SAW芯片制备方法，通过在叉指图层上制备绝缘凸块，并在绝缘凸块上制备导电片，通过导电片连通内部电极和外部电极，并通过绝缘凸块将导电片与汇流条隔开，实现了内部电极的引出，通过本方法制备出的SAW芯片，可以直接进行SAW芯片的片上测试，且对探针的规格需求更加简单，在芯片上引出内部电极可使接地电极数量减少。[0011]相比于传统的DIP/SMD封装采用引线键合工艺，控制硅铝丝跨过汇流条压焊在内部电极上实现接地，本方法可以避免引线键合方式不能精确控制焊点大小和弧高，导致内部电极与汇流条存在短路风险的问题；相比于CSP工艺，通过在电极上制作金属凸点之后与基板倒装焊接引出内部电极，本方法可以避免CSP工艺中金属凸点过多，倒装互联成品率低且无法返工的问题；相比于WLP技术，采用在Cap晶圆上开孔再电镀填充，之后晶圆键合的方式实现内部电极引出，本方法避免了开孔工艺容易产生裂纹等可靠性隐患。[0012]通过上述制备方法制备SAW芯片，不仅使得到的SAW芯片能够直接进行片上测试，
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还能避免SAW芯片的内部电极与汇流条短路，提高了制作SAW芯片的良品率。[0013]在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。[0014]进一步地，所述在所述SAW晶圆的汇流条上制备绝缘凸块，具体包括：[0015]制作第一掩膜版；
[0016]在所述SAW晶圆上制备负性光刻胶薄膜；
[0017]将所述第一掩膜版覆盖在所述负性光刻胶薄膜上，且所述第一掩膜版的透光窗口覆盖所述汇流条；
[0018]对所述负性光刻胶薄膜进行曝光；
[0019]使用负胶显影液对曝光后的负性光刻胶薄膜进行显影，得到覆盖在所述汇流条上的绝缘凸块。
[0020]进一步地，所述在所述绝缘凸块上制备连通所述内部电极和所述外部电极的导电片，具体包括：[0021]制作第二掩膜版；
[0022]在制备所述绝缘凸块后的SAW晶圆上制备反转光刻胶薄膜；[0023]将所述第二掩膜版覆盖在所述反转光刻胶薄膜上，且所述第二掩膜版的不透光区域覆盖所述内部电极、所述绝缘凸块和所述外部电极，不覆盖所述汇流条；[0024]对所述反转光刻胶薄膜进行曝光；
[0025]使用反转光刻胶显影液对曝光后的反转光刻胶薄膜进行显影，得到空出所述内部电极、所述绝缘凸块和所述外部电极的反转光刻胶膜层；[0026]在所述反转光刻胶膜层上制备导电膜层；[0027]溶解所述反转光刻胶膜层，得到覆盖在所述内部电极、所述绝缘凸块和所述外部电极上，且连接所述内部电极和所述外部电极的导电片。[0028]进一步地，所述反转光刻胶膜层的厚度大于所述导电膜层的厚度。[0029]采用上述进一步方案的有益效果是：使反转光刻胶膜层的厚度大于导电膜层的厚度，可以便于制备导电膜层。
[0030]本发明解决上述技术问题的另一种技术方案如下：[0031]一种SAW芯片制备系统，包括：[0032]晶圆制作装置，用于在衬底上制备叉指图层，得到SAW晶圆，所述叉指图层包括：内部电极、汇流条、外部电极和叉指图形，所述叉指图形由所述外部电极的突出部分别与所述汇流条的突出部和所述内部电极的突出部叉指形成，所述内部电极和所述外部电极被所述汇流条和所述叉指图形隔开；[0033]绝缘凸块制作装置，用于在所述SAW晶圆的汇流条上制备绝缘凸块，所述绝缘凸块覆盖在所述汇流条上；[0034]导电片制作装置，用于在所述绝缘凸块上制备连接所述内部电极和所述外部电极的导电片，得到SAW芯片。
[0035]本发明的有益效果是：本发明提供的一种SAW芯片制备系统，通过绝缘凸块制作装置在叉指图层上制备绝缘凸块，并通过导电片制作装置在绝缘凸块上制备导电片，通过导电片连通内部电极和外部电极，并通过绝缘凸块将导电片与汇流条隔开，实现了内部电极的引出，通过本系统制备出的SAW芯片，可以直接进行SAW芯片的片上测试，且对探针的规格
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需求更加简单，在芯片上引出内部电极可使接地电极数量减少。[0036]相比于传统的DIP/SMD封装采用引线键合工艺，控制硅铝丝跨过汇流条压焊在内部电极上实现接地，本系统可以避免引线键合方式不能精确控制焊点大小和弧高，导致内部电极与汇流条存在短路风险的问题；相比于CSP工艺，通过在电极上制作金属凸点之后与基板倒装焊接引出内部电极，本系统可以避免CSP工艺中金属凸点过多，倒装互联成品率低且无法返工的问题；相比于WLP技术，采用在Cap晶圆上开孔再电镀填充，之后晶圆键合的方式实现内部电极引出，本系统避免了开孔工艺容易产生裂纹等可靠性隐患。[0037]通过上述制备系统制备SAW芯片，不仅使得到的SAW芯片能够直接进行片上测试，还能避免SAW芯片的内部电极与汇流条短路，提高了制作SAW芯片的良品率。[0038]进一步地，所述绝缘凸块制作装置具体用于制作第一掩膜版；在所述SAW晶圆上制备负性光刻胶薄膜；将所述第一掩膜版覆盖在所述负性光刻胶薄膜上，且所述第一掩膜版的透光窗口覆盖所述汇流条；对所述负性光刻胶薄膜进行曝光；使用负胶显影液对曝光后的负性光刻胶薄膜进行显影，得到覆盖在所述汇流条上的绝缘凸块。[0039]进一步地，所述导电片制作装置具体用于制作第二掩膜版；在制备所述绝缘凸块后的SAW晶圆上制备反转光刻胶薄膜；将所述第二掩膜版覆盖在所述反转光刻胶薄膜上，且所述第二掩膜版的不透光区域覆盖所述内部电极、所述绝缘凸块和所述外部电极，不覆盖所述汇流条；对所述反转光刻胶薄膜进行曝光；使用反转光刻胶显影液对曝光后的反转光刻胶薄膜进行显影，得到空出所述内部电极、所述绝缘凸块和所述外部电极的反转光刻胶膜层；在所述反转光刻胶膜层上制备导电膜层；溶解所述反转光刻胶膜层，得到覆盖在所述内部电极、所述绝缘凸块和所述外部电极上，且连接所述内部电极和所述外部电极的导电片。
[0040]进一步地，所述反转光刻胶膜层的厚度大于所述导电膜层的厚度。[0041]本发明解决上述技术问题的另一种技术方案如下：[0042]一种SAW芯片，使用如上述各技术方案中任一所述的SAW芯片制备方法或制备系统制备得到。
[0043]本发明的有益效果是：本发明提供的一种SAW芯片，通过上述制备方法制备得到的SAW芯片，其导电片和汇流条被绝缘凸块隔开，并且内部电极通过导电片与外部电极连通，得到的SAW芯片可以直接进行SAW芯片的片上测试，还能避免SAW芯片的内部电极与汇流条短路，具有制作流程简单，制作成本低，良品率高的特点。[0044]本发明解决上述技术问题的另一种技术方案如下：[0045]一种SAW芯片，包括SAW晶圆，在所述SAW晶圆上设置有叉指图层，所述叉指图层包括：内部电极、汇流条、外部电极和叉指图形，所述叉指图形由所述外部电极的突出部分别与所述汇流条的突出部和所述内部电极的突出部叉指形成，所述内部电极和所述外部电极被所述汇流条和所述叉指图形隔开，所述汇流条上覆盖有绝缘凸块，所述绝缘凸块上设置有连接所述内部电极和所述外部电极的导电片。[0046]本发明的有益效果是：本发明提供的一种SAW芯片，通过绝缘凸块将导电片和汇流条隔开，并且内部电极通过导电片与外部电极连通，可以直接通过内部电极和外部电极在SAW芯片的晶圆上进行片上测试，还能避免SAW芯片的内部电极与汇流条短路，具有制作流程简单，制作成本低，良品率高的特点。
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本发明附加的方面的优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变
得明显，或通过本发明实践了解到。
附图说明
[0048]图1为本发明一种SAW芯片制备方法的一个实施例提供的流程示意图；[0049]图2为本发明一种SAW芯片制备方法的另一实施例提供的流程示意图；[0050]图3为本发明一种SAW芯片制备方法的另一实施例提供的流程示意图；[0051]图4为本发明一种SAW芯片制备系统的一个实施例提供的结构框架图；[0052]图5为本发明一种SAW芯片的一个实施例提供的芯片结构示意图；[0053]图6为本发明一种SAW芯片的一个实施例提供的叉指图层示意图；[0054]图7为本发明一种SAW芯片的一个实施例提供的内部电极示意图；[0055]图8为本发明一种SAW芯片的一个实施例提供的汇流条示意图；[0056]图9为本发明一种SAW芯片的一个实施例提供的外部电极示意图；[0057]图10为本发明一种SAW芯片的一个实施例提供的绝缘凸块示意图；[0058]图11为本发明一种SAW芯片的一个实施例提供的导电片示意图。
具体实施方式
[0059]以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实施例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
[0060]在本发明一种SAW芯片制备方法的一个实施例中，提供了一种制备SAW芯片的方法。
[0061]如图1所示，为本发明一种SAW芯片制备方法的一个实施例提供的流程示意图，该方法包括：[0062]S1，在衬底上制备叉指图层，得到SAW晶圆，叉指图层包括：内部电极、汇流条、外部电极和叉指图形，叉指图形由外部电极的突出部分别与汇流条的突出部和内部电极的突出部叉指形成，内部电极和外部电极被汇流条和叉指图形隔开。[0063]需要说明的是，内部电极、外部电极和汇流条成对称分布，将多个内部电极围绕在中间。
[0064]为了形成叉指图形，内部电极、汇流条、外部电极的突出部为类似于梳子齿形状。[0065]优选地，叉指图层可以包括2个内部电极、2个汇流条和4个外部电极，其中2个外部电极可以作为接地电极。[0066]S2，在SAW晶圆的汇流条上制备绝缘凸块，绝缘凸块覆盖在汇流条上。[0067]需要说明的是，可以直接将融化后的绝缘材料涂覆在汇流条上，再将绝缘材料凝固，形成绝缘凸块，也可以先在绝缘凸块上制备负性光刻胶，在通过掩膜版进行光固化反应，使汇流条上方形成绝缘凸块。
[0068]内部电极和外部电极被汇流条所隔开，为避免内部电极与汇流条短路，绝缘凸块的长度需要覆盖汇流条靠近内部电极和外部电极的两条边。[0069]S3，在绝缘凸块上制备连接内部电极和外部电极的导电片，得到SAW芯片。[0070]需要说明的是，可以将导电片直接与内部电极和外部电极焊接在一起，也可以先
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通过反转光刻胶在绝缘凸块上制备凹槽，凹槽的范围包括绝缘凸块、内部电极和外部电极，但是不包括汇流条，然后再在凹槽内制备导电薄膜，再去掉反转光刻胶，得到导电片。[0071]内部电极和外部电极被汇流条所隔开，为避免内部电极与汇流条短路，导电片未与内部电极和外部电极接触的两边在绝缘凸块的上方，导电片不与汇流条接触。[0072]本实施例提供的一种SAW芯片制备方法，通过在叉指图层上制备绝缘凸块，并在绝缘凸块上制备导电片，通过导电片连通内部电极和外部电极，并通过绝缘凸块将导电片与汇流条隔开，实现了内部电极的引出，通过本方法制备出的SAW芯片，可以直接进行SAW芯片的片上测试，且对探针的规格需求更加简单，在芯片上引出内部电极可使接地电极数量减少。[0073]相比于传统的DIP/SMD封装采用引线键合工艺，控制硅铝丝跨过汇流条压焊在内部电极上实现接地，本方法可以避免引线键合方式不能精确控制焊点大小和弧高，导致内部电极与汇流条存在短路风险的问题；相比于CSP工艺，通过在电极上制作金属凸点之后与基板倒装焊接引出内部电极，本方法可以避免CSP工艺中金属凸点过多，倒装互联成品率低且无法返工的问题；相比于WLP技术，采用在Cap晶圆上开孔再电镀填充，之后晶圆键合的方式实现内部电极引出，本方法避免了开孔工艺容易产生裂纹等可靠性隐患。[0074]通过上述制备方法制备SAW芯片，不仅使得到的SAW芯片能够直接进行片上测试，还能避免SAW芯片的内部电极与汇流条短路，提高了制作SAW芯片的良品率。[0075]在本发明一种SAW芯片制备方法的另一实施例中，还提供了一种制备SAW芯片的方法。
[0076]在上述实施例的基础上，本发明提供的制备SAW芯片的方法还可以进一步改进，具体地，该方法包括：[0077]S1，在衬底上制备叉指图层，得到SAW晶圆，叉指图层包括：内部电极、汇流条、外部电极和叉指图形，叉指图形由外部电极的突出部分别与汇流条的突出部和内部电极的突出部叉指形成，内部电极和外部电极被汇流条和叉指图形隔开。[0078]需要说明的是，本实施例中与上述实施例相同的步骤的说明，可以参考上述实施例中的对应说明，在此不再赘述。[0079]S2，在SAW晶圆的汇流条上制备绝缘凸块，绝缘凸块覆盖在汇流条上。[0080]优选地，如图2所示，步骤S2中，在SAW晶圆的汇流条上制备绝缘凸块，具体可以包括：
[0081]S21，制作第一掩膜版。[0082]需要说明的是，第一掩膜版的透光窗口的形状与绝缘凸块的形状相同。例如，可以将第一掩膜版制作成与衬底形状大小相同，当第一掩膜版覆盖在衬底上时，透光窗口大于汇流条靠近内部电极和外部电极的两边即可。[0083]S22，在SAW晶圆上制备负性光刻胶薄膜。[0084]需要说明的是，需要选择与叉指图层不发生反应的负性光刻胶来制备负性光刻胶薄膜，并且负性光刻胶曝光后不溶于丙酮，且与反转光刻胶的显影液不反应。[0085]例如，当叉指图层的材料为Al时，反转光刻胶为AZ5200时，可以选择与Al不发生反应的负性光刻胶RFJ220，负性光刻胶RFJ220曝光后不溶于丙酮，且与反转光刻胶AZ5200的显影液四甲基氢氧化铵不反应。
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制备负性光刻胶薄膜的方法很多，例如，可以采用旋转涂胶或喷胶工艺在SAW晶圆
上制备负性光刻胶薄膜，通过控制最高转速或喷胶时间、光刻胶粘度改变负性光刻胶薄膜的厚度来控制绝缘凸块的高度。[0087]例如，可以采用旋转涂胶工艺在SAW晶圆上制备负性光刻胶RFJ220薄膜，通过控制最高转速为4000rpm改变薄膜厚度为1μm来控制绝缘凸块的高度。[0088]优选地，还可以通过高温烘烤去除负性光刻胶薄膜中的溶剂。[0089]需要说明的是，高温烘烤的温度应对SAW芯片无影响。[0090]例如，当温度为105℃时，对SAW芯片无影响，同时还可以去除负性光刻胶RFJ220薄膜中的溶剂。[0091]S23，将第一掩膜版覆盖在负性光刻胶薄膜上，且第一掩膜版的透光窗口覆盖汇流条。
[0092]S24，对负性光刻胶薄膜进行曝光。[0093]S25，使用负胶显影液对曝光后的负性光刻胶薄膜进行显影，得到覆盖在汇流条上的绝缘凸块。[0094]例如，可以采用庚烷溶液进行显影。[0095]步骤S23～S25中，利用第一掩膜版，采用曝光工艺对负性光刻胶薄膜进行曝光，之后采用负胶显影液显影，透光窗口处的负性光刻胶会被曝光，发生光固化反应，采用负胶显影液显影后，SAW晶圆上剩余的负性光刻胶即为绝缘凸块。[0096]S3，在绝缘凸块上制备连接内部电极和外部电极的导电片，得到SAW芯片。[0097]优选地，如图3所示，步骤S3中，在绝缘凸块上制备连通内部电极和外部电极的导电片，具体可以包括：[0098]S31，制作第二掩膜版。[0099]需要说明的是，当第二掩膜版覆盖在SAW晶圆上时，第二掩膜版的不透光区域依次覆盖了内部电极、绝缘凸块和外部电极，不会覆盖汇流条。[0100]S32，在制备绝缘凸块后的SAW晶圆上制备反转光刻胶薄膜。[0101]需要说明的是，可以选择与叉指图层和绝缘凸块不发生反应的反转光刻胶，并且光刻后反转光刻胶溶于丙酮。[0102]例如，可以选择与叉指图形膜层Al和绝缘凸块不发生反应的反转光刻胶AZ5200，光刻后反转光刻胶AZ5200溶于丙酮。
[0103]可以采用旋转涂胶或喷胶工艺在SAW晶圆上制备反转光刻胶薄膜，通过控制最高转速或喷胶时间、光刻胶粘度改变反转光刻胶薄膜的厚度，并且反转光刻胶薄膜的厚度大于待制作的导电膜层的厚度。[0104]例如，可以采用旋转涂胶工艺在SAW晶圆上制备反转光刻胶薄膜AZ5200，通过控制最高转速为5000rpm改变反转光刻胶薄膜的厚度为1.2μm，反转光刻胶薄膜的厚度大于待制作的导电片的厚度0.6μm。[0105]优选地，还可以通过高温烘烤去除反转光刻胶薄膜中的溶剂。[0106]需要说明的是，高温烘烤的温度应对SAW芯片无影响。[0107]例如，当温度为94℃时，对SAW芯片无影响，同时还可以去除反转光刻胶AZ5200薄膜中的溶剂。
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S33，将第二掩膜版覆盖在反转光刻胶薄膜上，且第二掩膜版的不透光区域覆盖内
部电极、绝缘凸块和外部电极，不覆盖汇流条。[0109]S34，对反转光刻胶薄膜进行曝光。[0110]S35，使用反转光刻胶显影液对曝光后的反转光刻胶薄膜进行显影，得到空出内部电极、绝缘凸块和外部电极的反转光刻胶膜层。[0111]在步骤S33～S35中，通过利用第二掩膜版，采用曝光工艺对反转光刻胶薄膜进行曝光，之后进行高温烘烤并采用反转光刻胶显影液显影，SAW晶圆上剩余的反转光刻胶与第二掩膜版的透光区域一致。[0112]例如，可以采用反转光刻胶显影液四甲基氢氧化铵进行显影。[0113]S36，在反转光刻胶膜层上制备导电膜层。[0114]需要说明的是，可以采用镀膜工艺在光刻后的SAW晶圆上制备导电膜层，要求制备导电膜层的材料不会被等离子清洗工艺去除。[0115]例如，可以采用电子束蒸发镀膜工艺在光刻后的SAW晶圆上制备导电膜层Al，导电膜层Al材料不会被等离子清洗工艺去除。[0116]S37，溶解反转光刻胶膜层，得到覆盖在内部电极、绝缘凸块和外部电极上，且连接内部电极和外部电极的导电片。[0117]例如，可以将带有导电膜层Al的SAW晶圆放入丙酮中超声清洗直至反转光刻胶AZ5200完全溶解，然后采用惰性气体吹干SAW晶圆表面的残留丙酮，剩余的导电膜层即为导电片，导电片连接着内部电极和外部电极，且通过绝缘凸块与汇流条隔开。[0118]优选地，还可以包括：[0119]S4，采用等离子清洗工艺去除未被导电片覆盖的绝缘凸块。可以使SAW芯片更加美观、平整，减少对汇流条的遮挡。[0120]优选地，反转光刻胶膜层的厚度大于导电膜层的厚度。[0121]本实施例提供的一种SAW芯片制备方法，通过在叉指图层上制备绝缘凸块，并在绝缘凸块上制备导电片，通过导电片连通内部电极和外部电极，并通过绝缘凸块将导电片与汇流条隔开，实现了内部电极的引出，通过本方法制备出的SAW芯片，可以直接进行SAW芯片的片上测试，且对探针的规格需求更加简单，在芯片上引出内部电极可使接地电极数量减少。[0122]相比于传统的DIP/SMD封装采用引线键合工艺，控制硅铝丝跨过汇流条压焊在内部电极上实现接地，本方法可以避免引线键合方式不能精确控制焊点大小和弧高，导致内部电极与汇流条存在短路风险的问题；相比于CSP工艺，通过在电极上制作金属凸点之后与基板倒装焊接引出内部电极，本方法可以避免CSP工艺中金属凸点过多，倒装互联成品率低且无法返工的问题；相比于WLP技术，采用在Cap晶圆上开孔再电镀填充，之后晶圆键合的方式实现内部电极引出，本方法避免了开孔工艺容易产生裂纹等可靠性隐患。[0123]通过上述制备方法制备SAW芯片，不仅使得到的SAW芯片能够直接进行片上测试，还能避免SAW芯片的内部电极与汇流条短路，提高了制作SAW芯片的良品率。并且通过使反转光刻胶膜层的厚度大于导电膜层的厚度，可以便于制备导电膜层。[0124]在本发明一种SAW芯片制备系统的一个实施例中，提供了一种制备SAW芯片的系统。
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如图4所示，为本发明一种SAW芯片制备系统的一个实施例提供的结构框架图，该
制备系统包括：
[0126]晶圆制作装置100，用于在衬底上制备叉指图层，得到SAW晶圆，叉指图层包括：内部电极、汇流条、外部电极和叉指图形，叉指图形由外部电极的突出部分别与汇流条的突出部和内部电极的突出部叉指形成，内部电极和外部电极被汇流条和叉指图形隔开；[0127]绝缘凸块制作装置200，用于在SAW晶圆的汇流条上制备绝缘凸块，绝缘凸块覆盖在汇流条上；
[0128]导电片制作装置300，用于在绝缘凸块上制备连接内部电极和外部电极的导电片，得到SAW芯片。[0129]优选地，绝缘凸块制作装置200具体用于制作第一掩膜版；在SAW晶圆上制备负性光刻胶薄膜；将第一掩膜版覆盖在负性光刻胶薄膜上，且第一掩膜版的透光窗口覆盖汇流条；对负性光刻胶薄膜进行曝光；使用负胶显影液对曝光后的负性光刻胶薄膜进行显影，得到覆盖在汇流条上的绝缘凸块。[0130]优选地，导电片制作装置300具体用于制作第二掩膜版；在制备绝缘凸块后的SAW晶圆上制备反转光刻胶薄膜；将第二掩膜版覆盖在反转光刻胶薄膜上，且第二掩膜版的不透光区域覆盖内部电极、绝缘凸块和外部电极，不覆盖汇流条；对反转光刻胶薄膜进行曝光；使用反转光刻胶显影液对曝光后的反转光刻胶薄膜进行显影，得到空出内部电极、绝缘凸块和外部电极的反转光刻胶膜层；在反转光刻胶膜层上制备导电膜层；溶解反转光刻胶膜层，得到覆盖在内部电极、绝缘凸块和外部电极上，且连接内部电极和外部电极的导电片。
[0131]优选地，反转光刻胶膜层的厚度大于导电膜层的厚度。[0132]本实施例提供的一种SAW芯片制备系统，通过绝缘凸块制作装置200在叉指图层上制备绝缘凸块，并通过导电片制作装置300在绝缘凸块上制备导电片，通过导电片连通内部电极和外部电极，并通过绝缘凸块将导电片与汇流条隔开，实现了内部电极的引出，通过本系统制备出的SAW芯片，可以直接进行SAW芯片的片上测试，且对探针的规格需求更加简单，在芯片上引出内部电极可使接地电极数量减少。[0133]相比于传统的DIP/SMD封装采用引线键合工艺，控制硅铝丝跨过汇流条压焊在内部电极上实现接地，本系统可以避免引线键合方式不能精确控制焊点大小和弧高，导致内部电极与汇流条存在短路风险的问题；相比于CSP工艺，通过在电极上制作金属凸点之后与基板倒装焊接引出内部电极，本系统可以避免CSP工艺中金属凸点过多，倒装互联成品率低且无法返工的问题；相比于WLP技术，采用在Cap晶圆上开孔再电镀填充，之后晶圆键合的方式实现内部电极引出，本系统避免了开孔工艺容易产生裂纹等可靠性隐患。[0134]通过上述制备系统制备SAW芯片，不仅使得到的SAW芯片能够直接进行片上测试，还能避免SAW芯片的内部电极与汇流条短路，提高了制作SAW芯片的良品率。并且通过使反转光刻胶膜层的厚度大于导电膜层的厚度，可以便于制备导电膜层。[0135]在本发明一种SAW芯片的一个实施例中，提供了一种SAW芯片。[0136]如图5所示，为该SAW芯片的芯片结构示意图，该SAW芯片包括SAW晶圆1，在SAW晶圆1上设置有叉指图层2，在叉指图层2上设置有绝缘凸块3和导电片4。[0137]如图6所示，为SAW芯片的叉指图层2示意图，叉指图层2包括：内部电极21、汇流条
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22、外部电极23和叉指图形24，叉指图形24由外部电极23的突出部分别与汇流条22的突出部和内部电极21的突出部叉指形成，内部电极21和外部电极23被汇流条22和叉指图形24隔开，下面分别进行说明。[0138]如图7所示，为SAW芯片的内部电极21示意图，衬底可以为矩形，内部电极21可以为2个，沿衬底的平分线对称分布，2个电极的突出部可以朝相反的方向与外部电极23的突出部形成叉指图形24。[0139]如图8所示，为SAW芯片的汇流条22示意图，汇流条22可以为2个，沿衬底的平分线对称分布，设置在内部电极21的外围，每个汇流条22的两侧均有突出部，与外部电极23的突出部形成叉指图形24。[0140]如图9所示，为SAW芯片的外部电极23示意图，外部电极23可以为4个，沿衬底的平分线对称分布，其中2个外部电极23设置在中间，这2个外部电极23可以为接地电极，这2个外部电极23的突出部与内部电极21的突出部形成叉指图形24，剩余2个外部电极23分布在衬底的两端，这2个外部电极23的突出部与与汇流条22的突出部形成叉指图形24。[0141]在叉指图层2的基础上，汇流条22上覆盖有绝缘凸块3，绝缘凸块3上设置有连接内部电极21和外部电极23的导电片4，下面分别进行说明。[0142]如图10所示，为SAW芯片的绝缘凸块3示意图，以上半部分为例，该绝缘凸块3可以将衬底上半部分的汇流条22覆盖，由于绝缘凸块3是为了起到绝缘的作用，可以只将汇流条22覆盖即可。
[0143]如图11所示，为SAW芯片的导电片4示意图，以上半部分为例，由于导电片4需要导通外部电极23和内部电极21，因此只需要将导电片4搭上内部电极21和外部电极23即可，并且导电片4与汇流条22之间被绝缘凸块3所隔开，由于中间的2个外部电极23是接地作用，不需要与内部电极21导通，内部电极21只与上下两处的外部电极23导通即可。[0144]本实施例提供的一种SAW芯片，通过绝缘凸块3将导电片4和汇流条22隔开，并且内部电极21通过导电片4与外部电极23连通，可以直接通过外部电极23在SAW芯片的晶圆上进行片上测试，还能避免SAW芯片的内部电极21与汇流条22短路，具有制作流程简单，制作成本低，良品率高的特点。
[0145]在本发明一种SAW芯片的一个实施例中，提供了一种SAW芯片。
[0146]使用如上述各实施例中任一的SAW芯片制备方法或制备系统制备得到。[0147]本实施例提供的一种SAW芯片，通过上述制备方法制备得到的SAW芯片，其导电片和汇流条被绝缘凸块隔开，并且内部电极通过导电片与外部电极连通，得到的SAW芯片可以直接进行SAW芯片的片上测试，还能避免SAW芯片的内部电极与汇流条短路，具有制作流程简单，制作成本低，良品率高的特点。[0148]读者应理解，在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
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所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，上述描述的装
置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。[0150]在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。
[0151]作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本发明实施例方案的目的。[0152]另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以是两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
[0153]集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分，或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-OnlyMemory)、随机存取存储器(RAM，RandomAccessMemory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。[0154]以上，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
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