专利名称：闪存器件制造方法专利类型：发明专利
发明人：徐涛,陈宏,王卉,曹子贵申请号：CN201610596395.5申请日：20160727公开号：CN106158757A公开日：20161123
摘要：本发明提供一种闪存器件制造方法，通过将测量出的平坦化后的浅沟道隔离结构位于所述半导体衬底表面上方的台阶高度反馈到对所述半导体衬底上方用于形成字线多晶硅层等区域的浅沟槽隔离结构的回刻蚀工艺中，进而通过最合适的回刻蚀深度来保证后续形成的字线多晶硅层下方的氧化层的厚度以及浅沟槽隔离结构台阶高度的稳定性，从而避免因浅沟槽隔离结构台阶高度过低引起闪存产品的编程以及编程干扰失效或者因浅沟槽隔离结构台阶高度过高引起多晶硅残留问题，提高闪存产品的可靠性和良率。
申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：屈蘅
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