专利名称：包含由不同方法形成的中间氧化层的MRAM及制
造方法
专利类型：发明专利
发明人：朴祥珍,金泰完,李正贤,朴玩濬,宋利宪申请号：CN200410043078.8申请日：20040423公开号：CN1551358A公开日：20041201
摘要：提供一种包含由不同的方法形成的中间氧化层的磁性随机存取存储器(MRAM)及其制造方法。MRAM包含由一下磁性层，一防氧化层，一隧穿氧化层，及一上磁性层形成的一磁性隧道结(MTJ)。隧穿氧化层由原子层淀积(ALD)法形成，其它材料层，尤其是防氧化层由与原子层淀积法不同的方法形成。
申请人：三星电子株式会社
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京市柳沈律师事务所
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