模拟电子技术题库 答案资料

模拟电子技术 试题汇编

成都理工大学工程技术学院

电子技术基础教研室

2010-9

模拟电子技术试题汇编

第一章 半导体器件

一、填空题

1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，少数载流子应是 空穴 。

2、 在N型半导体中，电子浓度 大于 空穴浓度，而在P型半导体中，电子浓度 小于 空穴浓度。

3、PN结反向偏置时，空间电荷区将变 宽 。

4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大___区、__截止________区。

5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管___________，另一类称为__ 绝缘栅场效应管_______。

6、PN结外加反向电压，即电源的正极接N区，电源的负极接P区,这种接法称为___反向接法_______或_反向偏置_________。

7、半导体二极管的基本特性是 单向导电性 ____，在电路中可以起___整流____和___检波____等作用。

8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN_____型和__PNP_____型两种，它们的符号分别为_______和________。

9、PN结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的___漂移_____运动。

10、硅二极管的死区电压约为__0.5____V，锗二极管的死区电压约为__0.1____V。 11、晶体管穿透电流ICEO是反向饱和电流ICBO的___1+β_______倍，在选用晶体管的时候，一般希望ICBO尽量___小_______。 12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_13、PN结具有__单向导电_______特性。

14、双极型三极管有两个PN结，分别是___集电结____和_发射结______。

gm______。

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15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结_____正向________偏置，集电路______反向_______偏置。

16、场效应管是____电压______控制型元件，而双极型三极管是____电流_______控制型元件。

17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是 空穴 ，少数载流子应是 电子 。

18、P型半导体的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 电子 。 19、PN结外加正向电压，即电源的正极接P区，电源的负极接N区,这种接法称为 正向接法 或_正向偏置______。

20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_集电极______、___发射极____和__基极______。

21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加_正____________向电压；（2）集电结外加___反________向电压。

22、N型半导体可用___正________离子和等量的___负电子________来简化表示。

23、PN结正向偏置时，空间电荷区将变___窄________。

24、二极管的两个电极分别称为__阳____极和__阴____极，二极管的符号是________。

25、当温度升高时，三极管的输入特性曲线会__左___移，输出特性曲线会 上 ________移，而且输出特性曲线之间的间隔将__增大_________。 26、影响双极型三极管参数变化的主要因素是___温度__________。 27、P型半导体可用_负______离子和等量的___空穴_____来简化表示。 28、主要半导体材料是_硅_____和__锗____；两种载流子是__空穴_______和__电子_______；两种杂质半导体是_P型________和___N型________。 29、二极管外加 正 向电压导通，外加 反 向电压截止。

30、当温度升高时，三极管的参数β会 变大 ________，ICBO会 增加 ________，导通电压会 变小 _________ 。

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31、双极型三极管有两种载流子导电，即____多数载流子_________和_少数载流子____________导电，而单极型三极管只有一种载流子导电，即__多数载流子___________导电。

32、N型半导体的多数载流子是 电子 ，少数载流子是___空穴_____。 33、某晶体管的极限参数PCM150mW，ICM100mA，U(BR)CEO30V。若它的工作电压UCE10V，则工作电流不得超过__15_____mA；若工作电压UCE1V，则工作电流不得超过____100___mA；若工作电流IC1mA，则工作电压不得超过___30____V。

34、放大电路中，已知三极管三个电极的对地电位为VA=－9V， VB=－6.2V，VC =－6V，则该三极管是______PNP_______型三极管，A为_______集电______极，B为_____基________极，C为______发射_______极。 35、双极型三极管实现放大作用的重要参数是_____。

36、场效应管输出特性的三个区域分别是_______恒流______区、____可变电阻_________区、___夹断__________区。

37、纯净的、不含其他杂质的半导体称为_____本征半导体_____。

38、场效应管与晶体管比较， 场效应 管的热稳定好，输入电阻高， 晶体 管的放大能力强。

39、双极型三极管内部有三个掺杂区域，分别是__发射区_______、___基区_______和___集电区_______。

二、选择题

1、从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ B ）时处于正偏导通状态。

A．0 B．死区电压 C．反向击穿电压 D．正向压降 2、杂质半导体中（ A ）的浓度对温度敏感。

A．少子 B．多子 C．杂质离子 D．空穴

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3、晶体管的集电结反向偏置、发射结正向偏置，它的工作状态是（ B ），若集电结和发射结都反向偏置，它的工作状态是（ A ），若集电结和发射结均正向偏置，则它的工作状态是（ C ）。

A．截止 B．放大 C．饱和 D．损毁 4、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为( B )。 A．前者反偏、后者也反偏 B．前者正偏、后者反偏 C．前者正偏、后者也正偏 D．前者反偏、后者也正偏

5、双极型晶体管工作时有（ A ）和（ B ）两种载流子参与导电,而场效应管所导电过程仅仅取决于（ A ）的流动。

A．多子 B．少子 C．自由电子 D.空穴

UB（A ）UE。6、当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为UC（A ）

A． > B． < C． = D． ≤ 7、对二极管正向电阻rZ和反向电阻rF的要求是（ C ） A．rZ、rF都大 B．rZ、rF都小 C．rZ很小，rF很大 D．rZ大，rF小

8、稳压二极管动态电阻rZ（ B ），稳压性能愈好。 A．愈大 B． 愈小 C．为任意值 9、 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ C ）状态。 A． 放大 B． 截止 C． 饱和 D． 无法确定 10．结型场效应管放大电路的偏置方式是（ A、D ） A．自给偏压电路 B．外加偏压电路 C．无须偏置电路

D．栅极分压与源极自偏结合

11、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ A ），而少数载流子的浓度与（ B ）有很大关系。

A．温度 B．掺杂工艺 C．杂质浓度 D．晶体管缺陷

12、场效应管属于（ B ）控制型器件，而晶体管若用简化h参数来分析，则可认为是（ C ）控制型器件。

A．电荷 B．电压 C．电流

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13、当PN节外加反向电压时，扩散电流（ B ）漂移电流，耗尽层（D ）。 A．大于 B．小于 C．等于 D．变宽 E．变窄 F．不变 14、当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ D ）。 A．左移，下移 B．右移，上移 C．左移，上移 D．右移，下移 15、PN结加正向电压时导通，此时空间电荷区将（ A ）。

A．变窄 B．基本不变 C．变宽 D.先变窄，后变宽

16、 在25ºC时，某二极管的死区电压Uth≈0.5V，反向饱和电流Is≈0.1pA，则在35ºC时，下列哪组数据可能正确：（ D ）。 A Uth≈0.575V，Is≈0.05pA B Uth≈0.575V，Is≈0.2pA C Uth≈0.475V，Is≈0.05pA D Uth≈0.475V，Is≈0.2pA

17、用万用表判断放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（NPN或PNP）与三个电极时，最为方便的测试方法为（ B ）。 A．测试各极间电阻 B．测试各极间、对地电压 C．测试各极电流

三、判断题

1、 三极管在工作频率大于最高工作频率fM时会损坏。 （ ╳ ） 2、 稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。 （

╳

）

3、与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。（ √ ）

4、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（ ╳ ） 5、有人测得晶体管在UBE=0.6V时，IB=5A，因此认为在此工作点上的rbe大约为

26mv5.2K。 （ √ ） IB6、通常结型场效应管JFET在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。（ √ ）

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7、通常的双极型晶体管BJT在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。 （ ╳ ）

8、在N型半导体中，掺入高浓度的三阶杂质可以改型为P型半导体。（√ ） 9、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ╳ ） 10、PN结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（ ╳ ） 11、漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。（ √ ）

12、由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时，就有电流流过。（ ╳ ）

13、PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。（ ╳ ）

14、场效应管的突出优点是具有特别高的输出电阻（ ╳ ）

15、有人测试晶体管的rbe，方法是通过测得晶体管的UBE0.7，IB20mA，推算出rbeUBE/IB0.7V/20mA35K 。 （ ╳ ）

四、综合题

1、放大电路中测得晶体管各电极电位如下表所示，试将表格填写完整。（10分） 管脚（各电极）电位 电极(e或b或c) NPN或PNP 材料（Si或Ge） 3V e NPN Si 晶体管1 3.7V 6V b c 晶体管2 -4V -1.2V -1.4V c b e PNP Ge 2、判断下列管子的工作状态（a.饱和；b.放大；c.截止；d.损坏）（共8分） 管子类型 各电极电位（V） 状态 NPN PNP NPN PNP Ue Ub Uc Ue Ub Uc Ue Ub Uc Ue Ub Uc 2 1.7 6 -0.1 -0.3 -3 0 4 6 1.3 1.1 1.2 c b d a 3、如下图，试确定二极管D是正偏还是反偏？设二极管正偏时的正向压降为0.7V,试计算UX和UY的值（共9分）

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+10VRUYDUX2R +10V2RUYDUXR

（a） 答案：（a） D正偏导通 100.7I=

3R100.7Ux2RI==6.2V

3Uy6.20.76.9V

（b）

（b）

D仅偏截止 I=0

UX=0 Uy=10V

4、如下图，设硅稳压管VDZ1、VDZ2的稳压值分别为6V和9V， 求Uo为多少？（共3分）

1KVD1VD220V1K.Uo.

答：U0=9-6=3V

5、（3分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。

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D导通，U03V

6、判断下列电路能否放大电压信号。（设图中所有电容对交流信号视为短路）

（9分）都不能放大电压信号

（a） （b） （c） 输入交流短路 无直流基极偏压 输入交流短路 7、如下图，设硅稳压管VDZ1、VDZ2的稳压值分别为6V和9V，稳压管的正向压降为0.7V，试写出输出电压Uo为多少？（共8分）

R1K25VVDZ1VDZ2

R1K25VVDZ1VDZ2

（a）

U015V U00.7V（b）

1K25VVDZ1VDZ2

R1K25VVDZ1VDZ2

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（c）U06.7V （d）

U06V

8、设二极管理想化，试判断下列各图二极管是否导通还是截止？并求出UO=？

D +6V3KR VO12V- （a）D导通U06V D1D2+15V3KVR O12V- （c）D1 导通D2截止 U0=0V D +3KR VO12V-

（b）D截止 U012V

D1D2+3V3KR VO12V

-

（d）D2先导通D1截止 U0=-3V

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15V 模拟电子技术试题汇编

第二章 放大电路原理

一、填空题

1、BJT放大电路的三种基本组态中，_共集________组态带负载能力强，_共基____________组态频率响应好，__共射___________组态有倒相作用，__共集___________组态向信号源索取的电流小。

2、多级放大电路的对数增益等于其各级对数增益的_之和______。

3、BJT放大电路的三种组态是___共射__________、___共基__________、____共集_________。

4、影响放大电路工作点稳定的主要原因是___温度变化__________。 5、三极管___共集_________组态的放大电路具有输入电阻高、输出电阻低的特点。

6、放大电路最常用的基本分析方法，就是__图解法________和_微变等效电路法___________。

7、共集电极放大电路又称为___射极输出器或射随器_________。

8、多级放大电路常用的耦合方式有三种：即___阻容耦合_________、__直接耦合__________、___变压器耦合_________。

9、放大电路的三种基本组态中，__共射___________组态既具有电压放大能力又具有电流放大能力，___共集__________只具有电流放大能力，__共基___________组态只具有电压放大能力。

10、放大的本质首先是实现_能量_____的控制；所谓放大作用，其放大的对象是_变化量_____。

11、产生零点漂移的主要原因是放大器件的参数受__温度_______的影响而发生波动，导致放大电路的__静态工作点________不稳定。

12、输出电压离开零点，缓慢地发生不规则的变化，这种现象称为__零点漂移_______。

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二、选择题

1、关于BJT放大电路中的静态工作点（简称Q点），下列说法中不正确的是（ D ）。

A．Q点过高会产生饱和失真 B．Q点过低会产生截止失真

C．导致Q点不稳定的主要原因是温度变化 D．Q点可采用微变等效电路法求得

2、双极型三极管放大电路中，输入电阻最大的是___B________电路。 A． 共发射极 B． 共集电极 C．共基极 D．不能确定

3、晶体管放大电路中，高频特性最好的电路是（ D ） 。 A.共射电路 B.共集电路 C.共源电路 D.共基电路

4、有两个放大倍数（电路相同，采用同一晶体管）相同，输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路的条件下测得A的输出电压小，这说明A的（ B ）。

A．输入电阻大 B．输入电阻小 C．输出电阻大 D ．输出电阻小 5、多极放大电路的增益Au是（ B ）、输入电阻Ri是（ A ）、输出电阻Ro是（ C ）。

A．由第一级确定 B.由各级共同确定 C.由末级电路确定 6、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3K的负载电阻的输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（C ） A．10K B．2K C 1K D 0.5K

7、放大电路产生零点漂移的主要原因是（ A ）。 A．环境温度变化引起参数变化 B．放大倍数太大 C．晶体管的噪声太大 D．外界存在干扰源

8、在多级放大电路常见的三种耦合方式中选择合适者：（本题可多选） （1）要求各级静态工作点互不影响，可选用（A,C ）。 （2）要求能放大直流信号，可选用（B ）。

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（3）要求能放大高频交流信号，可选用（A,B ）。 （4）要求电路的温漂小，可选用（A,C ）。

（5）为了实现阻抗交换，使信号与负载间有较好的耦合，应采用（C ）。 A．阻容耦合 B．直接耦合 C．变压器耦合 9、用微变等效电路法分析放大电路（ B ）

A．只能分析静态工作点 B.只能分析动态参数 C．既可分析静态，也能分析动态

10、在下列电路中输入电阻最大的电路是（ B ）； 既能放大电流，又能放大电压的电路是（ C ）。

A． 共基放大电路 B．共集放大电路 C．共射放大电路

11、对于基本共射放大电路，如下图，试判断某一参数变化时放大电路动态性能的变化情况,选择正确答案填入空格

+VccRcRbVT1+C2+C1Rs+Us+-+UiRLUo--

（1）Rb减小时，输入电阻Ri _B____。 （2）Rc增大时，输出电阻RO ____A_。

（3）信号源内阻Rs增大时，输入电阻Ri___C___。

AuUoUs__A____。

（4）信号源远内阻Rs减小时，电压放大倍数

Au（5）负载电阻RL增大时，电压放大倍数

UoUi__A___；

（6）负载电阻RL减小时，输出电阻Ro ____C__;

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(7) 若Rb减小，则静态的IB将__A____，

AuUoUi将__A____。

UCEQ将__B__电压放大倍数

(8)若换一个值较小的晶体管，则静态的IB将___C__。 (9) Rb增大时， UCEQ将_A_____。 (10) Rc增大时，UCEQ将__B____。 (11) Rs增大时，UCEQ将__C____。 (12) RL增大时，UCEQ将__C____。

A.增大 B.减小 C.不变 12、由NPN晶体管组成的基本放大电路，如图：

+VccRcRbVT1+C2+C1Rs+Us+-+UiRLUo-

输出电压波形出现了顶部削平的失真，则： （1）这种失真是___B______

A.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真。 （2）为了消除这种失真，应___D_____

A．减小集电极电阻Rc B.改换小的管子 C.增大基极偏置电阻Rb D．减小基极偏置电阻Rb, E.减小电源电压VCC。 13、由PNP晶体管组成的基本放大电路，如图：

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+VccRcRbVT1+C2+C1Rs++Us-+UiRLUo--

电压波形出现了顶部削平的失真:则 (1) 这种失真是___A______

A.饱和失真 B.截止失真 C 交越失真 D 频率失真。 （2）为了消除这种失真，应___A，B，C______

A．减小集电极电阻Rc B.改换小的管子 C增大基极偏置电阻Rb D.减小基极偏置电阻Rb E.减小电源电压VCC。 14、如下图，选择正确答案填空

+VCCRb2Rc+C2C1+++VT3RLUoUiRb1Re+Ce--

（1） 要使静态工作电流IC减小，则Rb2应_A_____ 。

（2）Rb2在适当范围内增大，则|Au| _B_____，Ri _A_____，Ro _C_____。 （3) Re在适当范围内增大，则|Au| _C_____，Ri __C____，Ro _C_____。 (4) 从输出端开路，到接上RL，静态工作点将_C_____，Uo _B_____，（设静态工作点偏低）

(5) VCC减小时，直流负载线斜率__C____。

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(6)RC减小时，直流负载线斜率__A____。

A.增大 B.减小 C.不变

(7) 若VCC=10V,Rb1 =4K，Rb2=6K，Re=3.3K，RC=2K，C1、C2足够大，设UBE0.7V则:

① Vi=0，管压降UCE大约是__B____

（A． 4V B． 4.7V C 7V D 5V)

② 使管子由50改为100，则Au|是 __A__________

1（A.约为原来的2倍 B.约为原来的2 C.基本不变 D 约为原来的4倍）

③保持=50不变，将Re由3.3K改为6.6K，则|Au| _C_____ 。

1（A 约为原来的2倍 B 约为原来的2 C 基本不变 1 D 约为原来的4倍 E 约为原来的4）

15、两级放大电路Au1=-40，Au2=-50，若输入电压ui5mV,则输出电压uo为

_C_____

A．-200mV B.-250mV C.10V D.100V

三、判断题

1、试判断图示各电路能否放大交流电压信号（能放大的√，不能正常放大的画×）。

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√ × × 2、测得某些电路中几个三极管各极的电位如下图所示，试判断各三极管 晶体管分别工作在截止区、放大区还是饱和区。

..+5V+0.7V +2V..+12V+10.3V+10.75V....0V-5.3V0V.(a).+3V(b)+10V.-6V.(d).(c).

放大 截止 饱和 放大

分）

3、判断三极管的工作状态（放大、截止、饱和）。（6

.5V0.7V0V.

(a)(a) 放大 . (b) 截止

4、判断图示电路是否有信号放大作用（用“√”，“×”表示。每图3分，共12分）

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+Vcc +Vcc +VccC(a)

(a) × (b) × (c) ×

+Vcc(b)

(c)

+Vcc. .+Vcc

(d)

(e)

(f)

（d） × (e) × (f) √

5、判断下列电路能否放大电压信号。（设图中所有电容对交流信号视为短路） （6分）

+Vcc.+Vcc+Vcc..

(a) (b) (c)(a) √ (b) × (c) × 6、如下图，判断是否正确：

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+VCCRb2Rc+C2C1++Re+Ce--RLUoUiRb1+

（1）Ri=Rb1//Rb2//（rbe+Re）（ × ） （2）Ri=Rb1//Rb2//[rbe+(1+)Re] （ × ） （3）Ri=Rb1//Rb2//rbe （ √ ） （4）Ro=Rc//RL （ × ） （5）Ro=Rc （ √ ） （6）Au= -••Rc//RL （ × ）

rbeRe（7）Au= •Rc//RL （ × ） rbeRc//RL （ √ ） rbe（8）Au= -7、判断下列说法是否正确，对的画√，错误的画×

(1) 晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。（×） (2) 在基本共射放大电路中，为得到较高的输入电阻，在固定不变的条件下，晶体管的电流放大系数应该尽可能大些。（ ×）

(3) 在基本共射放大电路中，若晶体管的增大一倍，则电压放大倍数也相应增大一倍。（√ ）

(4) 对于基极分压式工作点稳定电路来说，其电压放大倍数也随的增大成正比的增大。（× ）

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(5) 共集放大电路的电压放大倍数是小于1，故不能用来实现功率放大。（× ） (6) 共射放大电路既能放大电压，也能放大电流。（ √） (7) 共集放大电路可放大电压，但不能放大电流。（× ） (8) 共基放大电路只能放大电流，但不能放大电压。（ ×）

四 分析题

1、试指出下图中电路的错误，并画出正确的电路（图中晶体管类型不允许改变）

+VccRbC2+C1+Ui--+UoRc+

有三个错误： （1）：电源极性错 （2）：C1.C2极性错 （3）：RC位置接错

2、 分析下图有何错误，应如何改正才能使电压正常放大，画出更改后的电路，

要求所用的晶体管不变以及其他元件不增减。

Rc+VCC+C1++C2+C3UiRbRe+Uo--

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有三个错 （1）Rb位置接错 （2）C2位置接错 （3）C3位置接错

3、分析下图能否对1KHz的正弦电压进行线性放大，如不能指出错在哪里，并进行改正，要求不增减元件，且电压放大倍数绝对值要大于1，uO无直流成分。

-12VRc3KRb1510KC1++10uFUi1K-Re+C2100uF+RLUo3K-

答：不能正常放大。 错误有：（1）C1位置接错。 （2）C2位置接错。 （3）

C1、C2极性接反。 （4）若要AU1，则不能从射极输出。

AU

RC//RL1 , 且VO无直流成分。 =

rbe1Re4、有两个放大电路如下图所示，向各是什么组态？（共射，共基，共集）若晶体管都工作在放大区，输入端均加上正弦小信号电压，请问图中所示的输出波形是否正确？若有错误，应如何改正？设电容都很大。

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-VccRcRb2Uoui+0uvuiv0Rb1Cb+Re(a)

均为共基组态。（a）图

U0U0波形有错。

波形应与Ui波形相同。

+VccRcUiC1+R2R3+C3R1+C2Uouiv0uv0(b)

（b）图

UO

波形应无直流分量

五、计算题

1、在下图的放大电路中,设三极管的=30，UBEQ=0.7V，rbe= 1k,Rb1=10k,Rb250K,Re=1.3k,Rc=RL=5k,VCC=12V。

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Rb2Rc+VccC2Ui.C1Rb1ReCeR.LUo

（1）试估算静态时的IBQ、ICQ、UCEQ；（5分）

（2）设电容C1、C2和Ce均足够大，试估算放大电路的中频电压放大倍数Aum；（5分）

（3）估算放大电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro；（5分）

（4）如果去掉旁路电容Ce，写出此时放大电路的中频电压放大倍数Aum和输入电阻Ri和输出电阻Ro的表达式（可不计算出具体数值）。（5分）

（1）

••UBQRb1Vcc10*122VRb1Rb21050VBQUBEQRe20.71mA1.3

ICQIEQVCEQVCCICQICQ(RcRe)121*(51.3)5.7V（2）

(Rc//Rc)30(5//15)75 Aumrbe1(3)

RiRb1//Rb2//rberbe1kR0Rc5k

(4)Ce断开，Re有电流串联负反馈，（Aum下降），Ri增加，R0不变；

Aum(Rc//RL)rbe(1)ReRiRb1//Rb2//[rbe(1)Re] R0Rc5k

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模拟电子技术试题汇编

2、（20分）图示电路中，已知UBEQ=0.7V，β=100，rbb'=374Ω，RB1=5 kΩ，RB2=15 kΩ，RE=2.3 kΩ，RC=RL=3 kΩ，VCC=12V。

+VccRRB2CC2C1TL+RsUo.Us.Ui.RR-B1RECE.

（1）估算电路的静态工作点UBQ、ICQ、UCEQ

（2）画出微变等效电路，计算电压放大倍数A•u、（3）若信号源内阻为RS=1kΩ时，求

AusU0US

RB1VCC（1）

UBQRR5123VB1B2515 IBEQ30.7CQIEQUBQURE2.31mA UCEQVCCICQ(RCRE)121(32.3)6.7V（2）图略 rbe374(1100)2613k A.(RC//RL)ur100(3//3)be350

Ri5//15//3k1.66kR

0RC3k（3）A.RiusRRA.1.66u(50)31.2 si11.663、如下图，C1~C4足够大，

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输入电阻Ri、输出电阻Ro

的数值。

模拟电子技术试题汇编

.+Vcc(+20V)R31K.C3R410KR180KC2C1.RL10KR220KR53.3KC4UoUi

（1）画出直流通路和微变等效电路（6分）。

.（2）设UBEQ0.7V，求静态工作点ICQ、UCEQ（4分） （3）求Ri、Ro、Au.UoUi..，设=30，rbb'=194（6分）

（4）ICEO、UCES忽略不计，估算最大不失真输出电压峰值Uom（4分）（总共20分）

解:（1）图略 （2）

UBQUBQUBEQ40.7R220VCC204V,ICQIEQ1mAR1R22080R53.3UCEQVCCICQ(R3R4R5)201(1103.3)5.7V

（3）

RiR1//R3//rberberbb'(1)R0R410KAu•2626194(130)1KIEQ1

U0(R4//RL)30(10//10)150urbe1•（4）不饱和失真 UomUCEQ5.7V

不截止失真 UomICQ(R4//RL)1(10//10)5V 最大不是真输出电压峰值 Uom5V

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模拟电子技术试题汇编

4、如图所示电路中，已知三极管

T为硅管 rbb'=337Ω,UBEQ=0.7V,β=50；

Rb1=51KΩ , Rb2=15KΩ , RE=1KΩ, Rc=2KΩ, RL=2KΩ,VCC=12V。(共18分)

试求： （1）静态工作点Q（IBQ.ICQ.UCEQ）？

（2）电压放大倍数AU＝？输入电阻Ri＝? 输出电阻Ro＝?

+VCCRb1C1RCC2+RL+uiRb2uO-解：（1）

UBQRECE-

Rb2VCC15122.7VRb1Rb25115UBQUBEQRE2.70.72mA1

ICQIEQIBQICQUCEQVCC20.04mA50ICQ(RCRE)122(21)6V（2）

RiRb1//Rb2//Rberbe1Krberbb'(1)R0Rc2KAu•2626337(150)1KIEQ1

Uo(Rc//RL)50(2//2)50Uirbe1•5、电路如下图（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时UBEQ＝0.7V。利用图解法分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom。（共15分）

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模拟电子技术试题汇编

ui0IBQVBBUBEQRb10.220uA31510

ic0,uCE12V解： RL,做直流负载线UCE12ic312uCE0,iC4mA6.根据图示放大电路及晶体管的输出特性曲线。（共315分）

（）图解法静态工作点Q（ICQI、UIBQR1)=40uA,3V=50）（6分） CEQ'）。（设L3K,这时UOMCQRL2(3//3（2）画出微变等效电路，估算放大器的动态参数Au、Ri、Ro（设

rbb'=340，

=60） （9分） 590KRb ui 解:

ic/mA+24VRc5K+Vcc3.64.880uA60uA2.440uARL5Kuo1.220uA240510152025uCE/ViC0,UCE12V(1)作直流负载线UCEVCCiCRC

UCE0,iC4.8mA IBQ40uA相交Q点，得ICQ2.4mA,Uceq12V (2)IiRb//rberbe1K

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模拟电子技术试题汇编

A(RC//RL_50(5//5)ur125be1r26berbb'(1)I1K

EQRORC5K

7、如下图，C1~C3足够大，

（1）画出直流通路和微变等效电路（4分）。 （2）求静态工作点IBQ、UCEQ。（4分）

（3）求输入、输出电阻Ri、Ro及电压放大倍数Au各自的表达式。（（总共12分）

+VccRcR1R2C3C1RLUo.UiC2..

(1)略

（2）IBQ(1B)RCI(R1R2)VBEQVCC

IVBEQBQVCC(1B)RVCEQVCC(1B)IBQRC

CR1R,2（3）Ri=R1//rbe R0=R2//R3

uA0(R3//RL)u=u=-

2//R1r

ber26be=r+(1+)I=rbb+26mvbbI EQBQ

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4分） 模拟电子技术试题汇编

8．电路如下图所示，晶体管的β＝100， rbb’=100Ω，UBEQ =0.7V。（共20分） （1）画直流通路和微变等效电路。（6分） （2）求电路的Q点、Au、Ri和Ro；（9分）

（3）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？（5分）

51220.7(2) UBQ==2V ICQ==1mA

5251.3UCEQ=12-1(5+1.3)=5.7v

rbe=100+(1+100)=-AU26=2.7k 1100(5//5)=-7.64

2.7(1100)0.3RI=Rb1//Rb2//[rbe+(1+)Rf]=3.66k R0=RC=5k

(3) Ce开路，Au下降，Ri上升，R0不变 9． 如图所示的放大电路（10分）

（1）写出u01输出，u02输出时，电路的电压放大倍数Au1、Au2的表达式。 （2）根据输入波形，当RcRe时，画出u01、u02的波形。

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模拟电子技术试题汇编

+VccRcRbuo1uo2uiRe

RcU01(1)Au1Uirbe(1)ReU02(1)Re Au2Uirbe(1)Re1,A1(2)RCRE时,Au1u4

10. 如下图，VT1的g=10ms,

mVT2的=100，rbe=1K，试估算：（1）Au的

•值；(2)Ri ；（3）RO 。(C1到C4足够大）

+VccRd20K+VT1Rg10MRb2C230KR22MC1++VT2+2K+C3Rb160KRe10kC4+uiR147K-RL10Kuo-

AA(1)Auu1u2gmR,AAU1LU21

R

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模拟电子技术试题汇编

R//R//R//[r(1)(RR)]RL1a1b1b2beel20//60//30//[1(1100)(10//10)]K10K10103101031100A(2)RiRgR1//R2Rg100M

rRs110RORE//be[10]K11100 110RSRL110K

11. 如下图，求（1）RL接在A(VT2断开）时Au1，（2）RL接在B点时的Au，设rbe=1K，=100，并求这时的Ri，RO。C足够大。

+VccRcRb2100kC++VT1+CUiRb1100k-+1KCRe10kB+10KAVT2•'''•RL1KUo-

（1）Au1'BRL1rbe'=100

RL1=RC//RL1K

RRC//[rbe(1)Re]10K（2）L AUAu1•AU2(1)ReBRLrberbe(1)R'''''100

eR1Rb1//Rb2//rbe1k

rRs110'RoRe//be[10//]K110,RSRC10K

11100

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'模拟电子技术试题汇编

12. 如下图：

+VccRcRbC1++Ui--VT1+C2+RLUo

（1） 推导出饱和条件（与电路参数关系式）

（2） 若Rb=120KΩ，Rc2K，=100，VBEQ=0.7V,试问电路工作在什么状态(放大，饱和，截止）

（3) 应如何改变电路参数，使之脱离上述工作状态？

(1)UBEQ0.7V,NPN管发射结正偏，要使集电结也正偏，必须UBEUCE,即

UCCIBRbVCCIbRC得

RbRC为饱和条件。

（2）Rb120KRC1002K200K此时电路工作在饱和状态。 （3）为了脱离饱和状态，有三个方法：

①β，RC不变，Rb200K ②Rb,不变，Rc1.2K ③Rb,Rc不变，换管子使60

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