专利名称：衰减相移掩模坯体和光掩模专利类型：发明专利
发明人：H·贝克,U·布特格赖特,G·赫斯,O·格茨伯格,F·施密德
特,F·佐贝尔,M·伦诺
申请号：CN200480025506.2申请日：20040906公开号：CN1846171A公开日：20061011
摘要：本发明涉及用在曝光波长为300nm或更低的平版印刷中的嵌入式衰减相移掩模坯体，以及通过离子束沉积制备这种掩模坯体的方法。具体而言，掩模坯体包含基片和薄膜系统，其中薄膜系统包含透射控制子层和相移控制子层，透射控制子层包含选自Mg、Y、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Ge、Sn、Pb、其氧化物、氮化物、硼化物和碳化物的金属和/或金属化合物以及这些金属和其化合物的组合；相移控制子层包含Ge、Si和/或Al的硼化物、碳化物、氧化物和/或氮化物或其组合。
申请人：肖特股份有限公司
地址：德国美因茨
国籍：DE
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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