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MOSFET的BTO结构制造工艺方法[发明专利]

2022-11-19 来源:步旅网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:MOSFET的BTO结构制造工艺方法专利类型:发明专利发明人:罗清威,房宝青申请号:CN201310024341.8申请日:20130123公开号:CN103943503A公开日:20140723

摘要:本发明公开了一种MOSFET的BTO结构制造工艺方法,包括:步骤1、在N型外延层上沉积一层ONO结构的硬掩膜板,并用干法刻蚀将硬掩膜板开口;步骤2、进行沟槽刻蚀,并在沟槽表面生长一层热氧化层,再在硅片表面整体沉积一层氮化硅层;步骤3、在所述沟槽中开始沉积多晶硅,接着做对晶硅采用回刻工艺,使所述沟槽底部的多晶硅的厚度为所需要的厚度;步骤4、对所述沟槽底部的多晶硅进行氧化,使其转变为氧化物;步骤5、用湿法刻蚀方式去掉所述氮化硅层,硬掩膜板及沟道中裸露在外的所述热氧化层与氮化硅的结合层,接着在沟槽中热生长栅氧化层,形成多晶硅栅;步骤6、按照MOSFET后续工艺流程,最终形成MOSFET结构。本发明能避免了使用HDP Oxide的方式引起的工艺控制的难点。

申请人:上海华虹宏力半导体制造有限公司

地址:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

国籍:CN

代理机构:上海浦一知识产权代理有限公司

代理人:丁纪铁

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