一种显示屏专用LED芯片[实用新型专利]

(12)实用新型专利

(10)授权公告号 CN 205141005 U (45)授权公告日 2016.04.06

(21)申请号 201520920203.2(22)申请日 2015.11.18

(73)专利权人海迪科(南通)光电科技有限公司

地址226500 江苏省南通市如皋市桃园镇育

华村34组(72)发明人沙东升 孙智江 贾辰宇 夏健

张伟(74)专利代理机构北京一格知识产权代理事务

所(普通合伙) 11316

代理人滑春生(51)Int.Cl.

H01L 33/40(2010.01)

权利要求书1页 说明书2页 附图1页

(54)实用新型名称

一种显示屏专用LED芯片(57)摘要

本实用新型涉及一种显示屏专用LED芯片，所述芯片包括一衬底，在衬底的上端依次生长有外延N型层、量子肼层、外延P型层及ITO层，在ITO层上光刻有一延伸至外延P型层的P电极蒸镀槽，在芯片上还光刻有一从ITO层延伸至外延N型层的N电极蒸镀槽所述P电极蒸镀槽内由下至上依次蒸镀氮化钛层、钛层、铂层及金层形成P电极，所述N电极蒸镀槽内由下至上依次蒸镀氮化钛层、钛层、铂层及金层形成N电极。本实用新型的优点在于：在本实用新型中，电极由氮化钛层、钛层、铂层及金层这四层构成，利用氮化钛层代替铬层，有效的解决了铬迁移的现象，高刷屏时间长，有效的改善显示屏高刷屏老化的现象，增加其使用寿命。 C N 2 0 5 1 4 1 0 0 5 UCN 205141005 U

权　利　要　求　书

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1.一种显示屏专用LED芯片，其特征在于：所述芯片包括一衬底，在衬底的上端依次生长有外延N型层、量子肼层、外延P型层及ITO层，在ITO层上光刻有一延伸至外延P型层的P电极蒸镀槽，在芯片上还光刻有一从ITO层延伸至外延N型层的N电极蒸镀槽；

所述P电极蒸镀槽内由下至上依次蒸镀氮化钛层、钛层、铂层及金层形成P电极，所述N电极蒸镀槽内由下至上依次蒸镀氮化钛层、钛层、铂层及金层形成N电极。

2.根据权利要求1所述的显示屏专用LED芯片，其特征在于：所述P电极与N电极中，氮化钛层的厚度为2.5nm，钛层的厚度为5nm，铂层的厚度为25nm，金层的厚度为1500nm。

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说　明　书一种显示屏专用LED芯片

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技术领域

[0001]本实用新型涉及一种芯片，特别涉及一种显示屏专用LED芯片。

背景技术

[0002]LED芯片也称为led发光芯片，是led灯的核心组件，也就是指的P-N结。其主要功能是：把电能转化为光能，芯片的主要材料为单晶硅。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。[0003]对于显示屏中用的LED芯片，其电极的组成为由下至上依次蒸镀的25nm铬层、25nm铂层、1500nm金层，使用这种电极制作而成的芯片，其在使用时，容易出现铬迁移的问题，高刷屏时间短，使用寿命短。实用新型内容

[0004]本实用新型要解决的技术问题是提供一种能够改善显示屏高刷屏老化的显示屏专用LED芯片。

[0005]为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案为：一种显示屏专用LED芯片，其创新点在于：所述芯片包括[0006]一衬底，在衬底的上端依次生长有外延N型层、量子肼层、外延P型层及ITO层，在ITO层上光刻有一延伸至外延P型层的P电极蒸镀槽，在芯片上还光刻有一从ITO层延伸至外延N型层的N电极蒸镀槽；

[0007]所述P电极蒸镀槽内由下至上依次蒸镀氮化钛层、钛层、铂层及金层形成P电极，所述N电极蒸镀槽内由下至上依次蒸镀氮化钛层、钛层、铂层及金层形成N电极。[0008]进一步的，所述P电极与N电极中，氮化钛层的厚度为2.5nm，钛层的厚度为5nm，铂层的厚度为25nm，金层的厚度为1500nm。[0009]本实用新型的优点在于：在本实用新型中，电极由氮化钛层、钛层、铂层及金层这四层构成，利用氮化钛层代替铬层，有效的解决了铬迁移的现象，高刷屏时间长，有效的改善显示屏高刷屏老化的现象，增加其使用寿命。[0010]通过对P电极与N电极中的氮化钛层、钛层、铂层及金层这四层的厚度进行合理的设计，从而可以对高刷屏老化的现象的改善达到最佳。附图说明

[0011]下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。[0012]图1为本实用新型的显示屏专用LED芯片的示意图。[0013]图2为本实用新型的电极结构的示意图。

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具体实施方式

[0014]下面的实施例可以使本专业的技术人员更全面地理解本实用新型，但并不因此将本实用新型限制在所述的实施例范围之中。[0015]如图1所示的一种显示屏专用LED芯片，包括一衬底1。[0016]在衬底1的上端依次生长有外延N型层2、量子肼层3、外延P型层4及ITO层5，在ITO层5上光刻有一延伸至外延P型层的P电极蒸镀槽，在芯片上还光刻有一从ITO层5延伸至外延N型层2的N电极蒸镀槽。[0017]由图2所示，P电极蒸镀槽内由下至上依次蒸镀氮化钛层11、钛层10、铂层9及金层8形成P电极6，N电极蒸镀槽内由下至上依次蒸镀氮化钛层11、钛层10、铂层9及金层8形成N电极7。

[0018]在P电极6与N电极7中，氮化钛层11的厚度为2.5nm，钛层10的厚度为5nm，铂层9的厚度为25nm，金层8的厚度为1500nm。通过对P电极与N电极中的氮化钛层11、钛层10、铂层9及金层8这四层的厚度进行合理的设计，从而可以对高刷屏老化的现象的改善达到最佳。[0019]表1为使用铬层做电极以及使用本实用新型的电极做芯片的性能对比表：

[0020]

[0021]

表1

[0022]由上表可以看出，使用氮化钛层做电极要比原先使用铬层做电极在高刷屏的时间上明显得到了提高，而且在推拉力以及掉电极率的性能方面都要优于使用铬层做电极。[0023]本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

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说　明　书　附　图

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图1

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图2