专利名称：发光二极管磊晶结构专利类型：发明专利
发明人：黄世晟,凃博闵,杨顺贵,黄嘉宏申请号：CN201010502906.5申请日：20101011公开号：CN102447026A公开日：20120509
摘要：一种发光二极管磊晶结构，包括一个硅基板、一个布拉格反射层以及一个半导体结构层。所述硅基板具有一个顶面，所述布拉格反射层形成在所述硅基板的顶面上。所述布拉格反射层上透过一个磊晶连接层连接所述半导体结构层。所述半导体结构层与硅基板之间形成有多个孔隙。本发明的布拉格反射层能反射所述半导体结构层射向所述硅基板的光线，提高所述发光二极管磊晶的发光效率。
申请人：展晶科技(深圳)有限公司,荣创能源科技股份有限公司
地址：518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号
国籍：CN
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