专利名称：一种碳化硅外延衬底专利类型：发明专利
发明人：郑友进,黄海亮,左桂鸿,王丹申请号：CN201910894556.2申请日：20190920公开号：CN110600594A公开日：20191220
摘要：本发明公开了一种碳化硅外延衬底，涉及外延衬底技术领域，主要为了解决碳化硅外延层存在较多位错缺陷的问题；该外延衬底，包括基底，所述基底上部具有可外延生长且呈图案化的碳化硅层，碳化硅层上侧设置有多个微结构，所述微结构包括设置在碳化硅层上的凸起部和相邻两个凸起部之间形成的凹陷部，凹陷部内侧贴附有碳纳米管层。本发明中外延衬底中的基底具有图形化的生长面，该图案化的表面具有多个微米级的微结构，因此可减小外延生长过程中的位错缺陷，因此碳化硅层外延生长面生长，使得外延生长的碳化硅层与基底之间的接触面积减小，减小了生长过程中碳化硅层与基底之间的应力可进一步提高外延的碳化硅层的质量。
申请人：牡丹江师范学院
地址：157011 黑龙江省牡丹江市爱民区文化街191号
国籍：CN
代理机构：北京艾皮专利代理有限公司
代理人：冯铁惠
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