专利名称：一种快恢复二极管专利类型：实用新型专利
发明人：王源政,金银萍,杭圣桥,郁怀东申请号：CN201921825958.9申请日：20191028公开号：CN210467855U公开日：20200505
摘要：本实用新型公开了半导体功率器件领域内的一种快恢复二极管。该种快恢复二极管包括N+型硅单晶衬底、N‑型外延层、P+型块和P‑型主结，P+型块具有若干个，N‑型外延层设置于N+型硅单晶衬底上方，P‑型主结设置于N‑型外延层内上方，P+型块设置于N+型硅单晶衬底和N‑型外延层之间，P‑型主结上方设置有正面金属层，N+型硅单晶衬底下方设置有背面金属层。该种快恢复二极管具有极短的反向恢复时间、快速开通和关断能力，同时具有极低的电流振荡和电压过冲，提高了器件的稳定性和可靠性。
申请人：扬州国宇电子有限公司
地址：225000 江苏省扬州市吴州东路188号
国籍：CN
代理机构：北京轻创知识产权代理有限公司
代理人：黄启兵
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