专利名称：一种倒装紫外发光二极管芯片专利类型：实用新型专利
发明人：张向鹏,崔志勇,李勇强,薛建凯,王雪,郭凯,张晓娜申请号：CN201921515520.0申请日：20190911公开号：CN211182232U公开日：20200804
摘要：本专利公开了一种倒装的紫外发光二极管芯片，包括：紫外发光二极管的外延结构，所述P型欧姆接触层上设置有多个减薄区域；电流扩散层，所述电流扩散层设置在所述P型欧姆接触层的下表面；随着所述述P型欧姆接触层的表面起伏而与所述述P型欧姆接触层贴合设置；DBR透镜层，所述DBR透镜层设置在所述电流扩散层的下表面，随着电流扩散层的表面起伏而与所述沿着所述电流扩散层贴合设置；正极电极，所述正极电极的一部分穿过所述P型欧姆接触层、电流扩散层与所述P型半导体材料层接触；所述正极电极的另一部分与所述电流扩散层接触；通过上述方案提高了紫外发光二极管芯片的发光亮度。
申请人：北京中科优唯科技有限公司
地址：100000 北京市大兴区经济技术开发区经海五路58号院5号楼7层708室
国籍：CN
代理机构：北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：张宏伟
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