专利名称：一种生长高结晶氮化铟单晶外延膜的方法专利类型：发明专利
发明人：谢自力,张荣,韩平,修向前,刘斌,李亮,顾书林,江若琏,
施毅,朱顺明,胡立群,郑有炓
申请号：CN200510123107.6申请日：20051215公开号：CN1811018A公开日：20060802
摘要：一种生长高结晶氮化铟单晶外延膜的方法，在蓝宝石衬底上利用MOCVD系统先生长GaN缓冲层，在500－700℃温度范围生长厚度在20－100nm的低温GaN缓冲层；然后利用MOCVD生长高结晶的InN材料。GaN缓冲层生长后对此缓冲层进行900－1100℃的高温退火；再利用MOCVD生长高结晶的InN材料。本发明实现了在蓝宝石衬底上利用低温GaN做缓冲层在MOCVD系统中生长一种新型材料InN的方法。尤其是设计先生长缓冲层，然后生长高质量高结晶的InN材料。面积尺寸可以达到工业生产使用的尺寸。
申请人：南京大学
地址：210093 江苏省南京市汉口路22号
国籍：CN
代理机构：南京天翼专利代理有限责任公司
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