CV法测试电阻率的稳定性研究
作 者：居斌;陈涛
作者机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300000
出 版 物：科技创新与应用
年 卷 期：2017年 第6期
摘 要：本文采用化学气相沉积（CVD）方法,利用平板式外延炉,在5英寸〈111〉晶向,2×10-3Ω·cm重掺As衬底上,生长N/N＋型硅外延片;试验中采用电容-电压方法,利用汞探针CV测试仪,通过金属汞与硅外延片表面接触形成肖特基势垒,测试势垒电容并转换为外延层载流子浓度和电阻率,实现对外延层电阻率的测量。在此过程中,我们采用H2O2水浴处理硅外延片表面,形成10~15？的氧化层,并对比分析了氧化温度、氧化反应时间、H2O2浓度对电阻率测试结果的影响。
页 码：45-46页
主 题 词：硅外延片 电容-电压法 势垒电容
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容