专利名称：制造凹槽栅晶体管的方法专利类型：发明专利发明人：李奎沃
申请号：CN200810188833.X申请日：20081226公开号：CN101471261A公开日：20090701
摘要：一种制造凹槽栅晶体管的方法，包括：在衬底上方形成硬质掩膜图样；接着使用硬质掩膜图样作为刻蚀掩膜通过实施刻蚀工艺在衬底中形成沟槽；接着在硬质掩膜图样上实施撤回刻蚀工艺以暴露衬底中的源区；接着在实施撤回刻蚀工艺之后在沟槽中和在包括硬质掩膜图样的衬底上方形成硅栅层；接着在该硅栅层上实施回蚀工艺以暴露硬质掩膜图样以便硅栅层的最上表面在硬质掩膜图样的最上表面以下；接着去除硬质掩膜图样；然后同时刻蚀硅栅层以及衬底的暴露部分。
申请人：东部高科股份有限公司
地址：韩国首尔
国籍：KR
代理机构：北京康信知识产权代理有限责任公司
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