专利名称：一种硅片的清洗方法专利类型：发明专利
发明人：金井升,刘长明,叶飞,蒋方丹,金浩申请号：CN201610342011.7申请日：20160520公开号：CN105931947A公开日：20160907
摘要：本发明提供了一种硅片的清洗方法，包括：将待清洗的硅片放置到HF溶液中，然后在溶液中通入臭氧，得到清洗后的硅片。与现有技术相比，本发明将待清洗的硅片放置到HF溶液中，然后在HF溶液中通入臭氧，采用氧化和去氧化结合的方法使硅片表面呈疏水性，可以达到极佳的清洗效果，并且整个过程中除了采用了常规的HF去除氧化层外，并未引入其它的杂质或化学液，清洗成本低廉，可以进行大规模推广。
申请人：浙江晶科能源有限公司,晶科能源有限公司
地址：314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：赵青朵
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容