专利名称：清洗晶片的方法专利类型：发明专利
发明人：陈明德,吴一经,黄建栋申请号：CN200510097895.6申请日：20050902公开号：CN1925113A公开日：20070307
摘要：本发明提供一种清洗晶片的方法。首先提供一晶片，并将晶片载入一反应室。接着顶起晶片，并对晶片进行一干式清洗工艺，以清洗晶片的晶面、晶背与晶边。最后对晶片进行一沉积工艺，其中干式清洗工艺与沉积工艺是利用原位方式(in－situ)进行。
申请人：联华电子股份有限公司
地址：台湾省新竹科学工业园区
国籍：CN
代理机构：北京市柳沈律师事务所
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