专利名称：NMOS晶体管的形成方法专利类型：发明专利
发明人：林仰魁,陈志豪,卢炯平申请号：CN201110041936.5申请日：20110221公开号：CN102646590A公开日：20120822
摘要：一种NMOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成栅介质层和栅电极；在所述栅介质层两侧的半导体衬底中分别形成源区和漏区；在形成所述栅介质层和栅电极之后，对所述栅介质层下方的半导体衬底进行氟离子注入；在所述氟离子注入之后还包括：对所述半导体衬底进行退火，退火气氛包括氢气或氢气的等离子体。本发明有利于抑制NMOS晶体管的热载流子注入问题，延长器件的使用寿命。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：骆苏华
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