专利名称：一种含有隔离p-top区的槽栅超结IGBT专利类型：发明专利发明人：马瑶,黄铭敏,胡敏申请号：CN202110120082.3申请日：20210128公开号：CN112652658A公开日：20210413
摘要：本发明提供了一种超结IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）器件，其耐压层中的第二导电类型的半导体区的上方有一个电阻率较低的第二导电类型的顶部区，所述顶部区通过槽型栅极结构与第二导电类型的基区相隔离，并且其耐压层中的第一导电类型的半导体区与所述基区之间有第一导电类型的载流子存储层。在正向导通态下，所述顶部区上产生一个压降，提高所述耐压层中的第二导电类型的半导体区的电位，帮助降低导通压降。
申请人：四川大学
地址：610065 四川省成都市武侯区一环路南一段24号
国籍：CN
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容