专利名称：通过循环沉积过程在衬底的电介质表面上沉积钼金
属膜的方法和相关联的半导体器件结构
专利类型：发明专利
发明人：B·佐普,K·史瑞斯萨,S·斯瓦弥纳杉,朱驰宇,H·T·A·朱
希拉,谢琦
申请号：CN201811002058.4申请日：20180830公开号：CN109423617A公开日：20190305
摘要：本发明公开了通过循环沉积过程在衬底的电介质表面上沉积钼金属膜的方法和相关联的半导体器件结构。所述方法可以包括：把包括电介质表面的衬底放到反应室中；在所述电介质表面上直接沉积成核膜；然后在所述成核膜上直接沉积钼金属膜，其中沉积所述钼金属膜包括：使所述衬底与包含钼卤化物前体的第一气相反应物接触；然后使所述衬底与包含还原剂前体的第二气相反应物接触。还公开了包括利用中间的成核膜设置在电介质材料的表面上的钼金属膜的半导体器件结构。
申请人：ASM IP控股有限公司
地址：荷兰阿尔梅勒
国籍：NL
代理机构：上海专利商标事务所有限公司
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