专利名称：用于在半导体装置中产生互连的方法专利类型：发明专利
发明人：伊斯梅尔·T·埃迈什,罗伊·沙维夫,梅于尔·奈克申请号：CN201810331694.5申请日：20140317公开号：CN108695244A公开日：20181023
摘要：一种用于在工件上产生互连的方法，所述方法包括获得具有特征结构的工件基板，在所述特征结构中沉积导电层以部分地或完全地填充所述特征结构，如果所述特征结构由所述导电层部分地填充则沉积铜填充物以完全地填充所述特征结构，施加铜覆盖物，热处理所述工件，以及移除所述覆盖物以暴露所述基板和金属化的特征结构。
申请人：应用材料公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：北京律诚同业知识产权代理有限公司
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