专利名称：半导体装置及其操作方法专利类型：发明专利发明人：孙沿林,郭守柱申请号：CN201710144098.1申请日：20170313公开号：CN108574013A公开日：20180925
摘要：本发明公开了一种半导体装置及其操作方法，涉及半导体技术领域。该半导体装置包括：衬底；位于该衬底上的有源区；其中，该有源区包括：第一有源区和与该第一有源区的延伸方向平行排列的第二有源区；该第一有源区包括：连接部和在该连接部两侧的第一部分和第二部分，其中，该连接部将第一部分和第二部分连接成整体；该第二有源区包括：被沟槽隔离部隔离开的第三部分和第四部分；其中，该沟槽隔离部与该连接部相对应；以及覆盖在该沟槽隔离部和该连接部之上的第一伪栅极。本发明减小了在接触件形成过程中过刻蚀问题发生的可能性。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：曲瑞
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