专利名称：一种自适应定义缺陷扫描方程式扫描区域的方法专利类型：发明专利
发明人：成智,何广智,柳祚钺,黄莉晶申请号：CN201710613874.8申请日：20170725公开号：CN107221507A公开日：20170929
摘要：本发明提出一种自适应定义缺陷扫描方程式扫描区域的方法，包括下列步骤：根据器件的不同功能来定义扫描区域，设定不同的扫描参数；对定义的不同区域图形和光强调试时反映的数据进行分析，作为区分不同区域的特性并记录；对后续的工艺层建立缺陷扫描方程式时，增加对当前层的图形和光强分析，根据之前不同区域所表征的特性重新定义不同的扫描区域；若无法对应到之前所记录的区域特性，系统提示额外增加新的扫描区域。本发明提出的自适应定义缺陷扫描方程式扫描区域的方法，针对不同工艺层图形变化较大的情况下重新精确定义扫描区域的方法，避免扫描区域不够精确发生缺陷反馈不准确，导致问题判断失误。
申请人：上海华力微电子有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：智云
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