专利名称：荧光陶瓷及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：L·波利亚斯尼科瓦,V·德米登科,E·戈罗克霍瓦,O·奥夫
延尼科瓦,O·克里斯蒂奇,H·维措勒克,C·R·隆达,G·蔡特勒
申请号：CN200580015618.4申请日：20050512公开号：CN101107206A公开日：20080116
摘要：本发明涉及用M掺杂的具有通式GdOS的荧光陶瓷，其中M代表至少一种选自Ce、Pr、Eu、Tb、Yb、Dy、Sm和/或Ho的元素，其中所述荧光陶瓷在其体积内包括单相；本发明还涉及采用单轴热压制备荧光陶瓷的方法；用于检测电离辐射的检测器和所述检测器用于检测电离辐射的用途。所述采用单轴热压制造荧光陶瓷材料的方法包括下列步骤：a)选择用M掺杂的GdOS颜料粉末，且M代表至少一种选自Eu、Tb、Yb、Dy、Sm、Ho、Ce和/或Pr的元素，其中所述用于热压的粉末的晶粒大小为1μm，且所述热压在1000－1400℃温度下进行；和/或在100MPa－300MPa压力下进行；在700℃－1200℃下空气退火0.5小时至30小时。
申请人：皇家飞利浦电子股份有限公司
地址：荷兰艾恩德霍芬
国籍：NL
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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