专利名称：QLED器件及其制备方法专利类型：发明专利发明人：朱佩,曹蔚然
申请号：CN201711351353.6申请日：20171215公开号：CN109935712A公开日：20190625
摘要：本发明提供了一种QLED器件，包括阳极，结合在所述阳极上的量子点发光层，结合在所述量子点发光层上的电子传输层，结合在所述电子传输层上的金属缓冲层，以及设置在所述金属缓冲层上的阴极，其中，所述电子传输层的材料为n型4H‑SiC，所述金属缓冲层的材料选自能与所述n型4H‑SiC形成欧姆接触的金属材料。
申请人：TCL集团股份有限公司
地址：516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
国籍：CN
代理机构：深圳中一专利商标事务所
代理人：黄志云
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