专利名称：半导体装置用清洗剂和半导体装置的制造方法专利类型：发明专利
发明人：菅野至,横井直树,森田博之,一木直树,根津秀明,高岛
正之
申请号：CN00133357.7申请日：20001005公开号：CN1291787A公开日：20010418
摘要：本发明的主要目的是提供一种不产生布线和埋入导电层的断路的改进的清洗剂。该半导体装置用清洗剂含有氢氧化物、水和用下述一般式(1)/或一般式(2)表示的化合物。HO－((EO－(PO))－H…(1),R－[((EO)－(PO))－H]…(2)。
申请人：三菱电机株式会社,住友化学工业株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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