专利名称：具有黑磷沟道层的低接触电阻率FinFET及其制备方
法
专利类型：发明专利发明人：刘源,保罗·邦凡蒂申请号：CN201611100748.4申请日：20161205公开号：CN108155236A公开日：20180612
摘要：本发明提供一种具有黑磷沟道层的低接触电阻率FinFET及其制备方法，制备方法包括如下步骤：1）提供半导体衬底，在半导体衬底表面形成背栅，并在背栅外围的半导体衬底表面形成衬底氧化层；2）在步骤1）得到的结构表面形成背栅氧化层，背栅氧化层覆盖背栅及衬底氧化层的表面；3）在背栅氧化层表面形成黑磷沟道层；4）在黑磷沟道层表面形成前栅结构，前栅结构横跨背栅，并沿垂直于背栅长度的方向延伸；5）在前栅结构两侧的背栅上方形成源极及漏极，源极及漏极沿背栅的长度方向延伸。本发明的具有黑磷沟道层的低接触电阻率FinFET通过将黑磷形成沟槽材料层可以有效降低其接触电阻率。
申请人：上海新昇半导体科技有限公司
地址：201306 上海市浦东新区泥城镇新城路2号24幢C1350室
国籍：CN
代理机构：上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人：余明伟
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