专利名称：一种PVD沉积薄膜的方法专利类型：发明专利发明人：卜维亮,李勇,刘长安申请号：CN201110151759.6申请日：20110608公开号：CN102820255A公开日：20121212
摘要：本发明涉及PVD沉积薄膜的方法。本发明的PVD沉积薄膜的方法，是用于在衬底的接触孔内沉积薄膜的方法，其特征在于，包括：在所述接触孔中沉积薄膜的沉积步骤；以及刻蚀所述接触孔的开口处的沉积薄膜的刻蚀步骤。利用本发明的PVD沉积薄膜的方法，能够有效地去除接触孔开口处的多余的薄膜沉积，能够更良好地对接触孔进行填充，尤其是对于接触孔深宽比高的接触孔，其效果更为明显。
申请人：无锡华润上华半导体有限公司,无锡华润上华科技有限公司
地址：214028 中国江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号
国籍：CN
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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