专利名称：半导体存储器件及其制造方法专利类型：发明专利发明人：金兑京,权贤律申请号：CN201310142777.7申请日：20130423公开号：CN103579253A公开日：20140212
摘要：本发明公开了一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：多个辅助图案，所述多个辅助图案形成在半导体衬底之上；多个栅极线图案，所述多个栅极线图案彼此平行地布置在所述多个辅助图案之间的半导体衬底之上；以及气隙，所述气隙形成在所述多个栅极线图案之间、以及所述多个栅极线图案中的每个栅极线图案与所述多个辅助图案中的每个辅助图案之间。
申请人：爱思开海力士有限公司
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)
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