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综合实验五系统扩展

2023-03-21 来源:步旅网


综合实验五 系统扩展

一、实验目的

1、学习片外存贮器扩展方法。

2、学习数据存贮器不同的读写方法。

3、学习片外程序存贮器的读方法。

二、实验内容

1.实验原理图:

2、实验内容

(1)使用一片2764EPROM,作为片外扩展的程序存贮器,对其进行读。

(2)使用一片6264RAM,作为片外扩展的数据存贮器,对其进行读写(使用键盘监控命令和程序运行两种方法)。

3、实验说明

(1)在使用键盘监控命令读片外扩展的程序存贮器2764中内容时,由于本系统中该程序存贮器作为用户目标系统的程序存贮器,因此DVCC系统必须处于仿真2状态,即“H.....”态,用MEM键

即可读出。

(2)在使用键盘监控命令读写片外扩展的数据存贮器6264中的内容时,由于本系统中该数据存贮器作为用户目标系统的数据存贮器,因此DVCC系统处于仿真1态(“P.....”态)或仿真2态(“H.....”态),用ODRW键即可读写。

(3)读写数据的选用。

本实验采用的是55H(0101,0101)与AAH(1010,1010),一般采用这两个数据的读写操作就可查出数据总线的短路、断路等,在实验调试用户电路时非常有效。

(4)在仿真1态即“P.....”状态下,编写程序对片外扩展的数据存贮器进行读写,若L1灯闪动说明RAM读写正常。

三、程序

程序清单:

ORG 0C80H

MOV DPTR,#8000H

MOV R6,#0FH

MOV A,#55H

RAM1: MOV R7,#0FFH

RAM2: MOVX @DPTR,A

CLR P1.0

INC DPTR

DJNZ R7,RAM2

DJNZ R6,RAM1

MOV DPTR,#8000H

MOV R6,#0FH

RAM3: MOV R7,#0FFH

RAM4: MOVX A,@DPTR

CJNE A,#55H,RAM6

SETB P1.0

INC DPTR

DJNZ R7,RAM4

DJNZ R6,RAM3

RAM5: CLR P1.0

CALL DELAY

SETB P1.0

CALL DELAY

SJMP RAM5

DELAY: MOV R5,#0FFH

DELAY1: MOV R4,#0FFH

DJNZ R4,$

DJNZ R5,DELAY1

RET

RAM6: SETB P1.0

SJMP RAM6

END

四、实验步骤

1、片外扩展程序存贮器的读。

(1)将RAM/EPROM区的D0—D7用排线连到BUS2区XD0—XD7,同样用排线将A0—A7连到BUS1区XA0—XA7,A8—A12连到BUS3区XA8—XA12。

(2)PGM插孔连到+5V插孔。

(3)CS1插孔连到译码输出Y0插孔。

(4)OE插孔连到BUS3区XPSEN插孔。

(5)在DVCC系统处于“P”状态下,按F1键进入仿真2态(“H.....”状态)。

(6)输入四位程序存贮器地址8000后按MEM键读出2764中的内容。

2、片外扩展数据存贮器的读写(用键盘监控命令)

(1)取出RAM/EPROM区中的实验监控,再插上数据存贮器6264。

(2)将RAM/EPROM区的D0—D7用排线连到BUS1区XD0—XD7,A0—A7连到BUS1区XA0—XA7,A8—A12连到BUS3区XA8—XA12。

(3)WE插孔与BUS3区XWR相连。

(4)CS1插孔连到译码输出Y0插孔。

(5)OE插孔连到BUS3区XRD插孔。

(6)CS2插孔与+5V插孔相连。

(7)在DVCC系统处于“P1态(即“P.....”)。

”状态下,按F2键进入仿真1态(即“P.....”)或按F1键进入仿真

(8)输入四位地址8000后按ODRW键可读写6264中的内容。

3、片外数据存贮器的读写(用程序)

步骤同上①—⑥。

(7)按框图编制程序,在上位机上进行编译,链接形成Hex(或ABS)最终目标文件,然后传送到DVCC实验系统仿真RAM区中。

(8)在“P”状态下,按F2键,进入仿真1态(“P.....”),从起始地址0C80H开始连续运行程

序。对6264进行读写。若L1灯闪动,表示6264 RAM读写正常。

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