专利名称：具有穿硅通孔与测试电路的半导体结构与其制作方
法
专利类型：发明专利
发明人：陈逸男,徐文吉,叶绍文,刘献文申请号：CN201210092744.1申请日：20120331公开号：CN103367281A公开日：20131023
摘要：本发明公开了一种半导体结构，具有一穿硅通孔以及测试修补电路。其中，穿硅通孔设置于基底中并贯穿基底的有源面以及背面。测试修补电路设置于基底的背面上，与穿硅通孔电性连接，借以提供测试修补功能。根据本发明的另外一个实施方式，本发明另外提供了一种形成半导体结构的方法。
申请人：南亚科技股份有限公司
地址：中国台湾桃园县
国籍：CN
代理机构：深圳新创友知识产权代理有限公司
代理人：江耀纯
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