专利名称：一种GaO薄膜及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：陈星,刘可为,申德振,李炳辉,张振中申请号：CN202010597141.1申请日：20200628公开号：CN111710591A公开日：20200925
摘要：本发明提供了一种GaO薄膜的制备方法，包括以下步骤：以有机镓化合物作为镓源，以高纯氧气作为氧源，利用金属有机化学气相沉积法在衬底表面进行沉积，降温后得到GaO薄膜；在GaO薄膜生长的过程中间歇补充有机镁化合物。本申请还提供了上述制备方法所制备的GaO薄膜，GaO薄膜中掺杂微量镁。本申请通过对制备GaO薄膜中有机镁化合物的通入时机和通入时间的控制，实现了微量镁掺杂的GaO薄膜的制备，其为实现高性能日盲紫外光探测器提供了便捷有效的手段。
申请人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
地址：130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：李伟
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