MoS2/p-Si Heterojunction
作者： 柳琦[1]
作者机构： [1]长春理工大学理学院,吉林长春130022出版物刊名： 科技创新与应用页码： 14-16页年卷期： 2020年 第4期
主题词： 二硫化钼;异质结构;光电性能
摘要：文章通过化学气相沉积(CVD)法制备大面积的高质量双层MoS2二维材料,光致发光测试表明材料具有较好的发光特性。在此基础上,利用湿法转移技术将双层MoS2二维材料转移至p-Si衬底上,实现高性能MoS2/p-Si异质结的构筑。MoS2/p-Si异质结表现出明显的光响应特性,这得益于内建电场促进了光生电子-空穴对的有效分离。本工作为发展高质量的多功能器件提供了新的技术思路。
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容