专利名称：用于补偿单端感测放大器中PVT变化的参考电路专利类型：发明专利发明人：R·休斯
申请号：CN201380053038.9申请日：20131010公开号：CN104718575A公开日：20150617
摘要：本发明涉及一种半导体存储器件，该半导体存储器件包括：-用于读取从存储器阵列中选定的存储单元感测到的数据的单端感测放大器(SA)电路，该感测放大器具有用于馈入参考信号(REF)的第一节点(N1)、耦接到位线(BL)的第二节点(N2)以及负责在感测操作期间放大所选定的存储单元的内容的感测晶体管(T2、T3)；-参考电路(R)，其具有感测晶体管(T2,T3)的复制晶体管(T’2,T’3)，并且还包括被设计为使得每个复制晶体管在稳定的操作点操作的调节网络(OP1、T’5；OP2)，并且其中，所述调节网络产生施加于感测放大器电路的控制电压。
申请人：索泰克公司
地址：法国伯尔宁
国籍：FR
代理机构：北京三友知识产权代理有限公司
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