专利名称：一种基于FinFET的读写分离存储单元专利类型：发明专利发明人：胡建平,杨会山申请号：CN201810144011.5申请日：20180212公开号：CN108447515A公开日：20180824
摘要：本发明公开了一种基于FinFET的读写分离存储单元，包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管、第八FinFET管、位线、字线、第一写字线、第二写字线和虚地线，第一FinFET管和第三FinFET管分别为P型FinFET管，第二FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管和第八FinFET管分别为N型FinFET管；优点是在保证读操作稳定性的基础上，写噪声容限高，存储值结果稳定，电路功能稳定，且漏功耗较小，同时延时也较小，利于快速稳定存取数据。
申请人：宁波大学
地址：315211 浙江省宁波市江北区风华路818号
国籍：CN
代理机构：宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙)
代理人：方小惠
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