专利名称：一种提高ZnO压敏陶瓷在直流电场下电学性能稳定
性的处理方法
专利类型：发明专利
发明人：李国荣,孟磊,郑嘹赢,程丽红,阮学政申请号：CN201110428325.6申请日：20111220公开号：CN102531678A公开日：20120704
摘要：本发明公开了一种提高ZnO压敏陶瓷在直流电场下电学性能稳定性的处理方法，所述方法是将ZnO压敏陶瓷片浸泡在40～60℃的硝酸铋的乙二醇溶液中1～5小时，浸泡结束后立即进行干燥，干燥后在空气中进行热处理，最后随炉冷却即可。经本发明方法处理后的ZnO压敏陶瓷在连续三阶段直流加速老化实验中呈现出良好的漏电流和I-V非线性系数稳定性，且计算出的直流老化速率常数呈现负值，可有效解决ZnO压敏陶瓷在直流电场下的电学性能老化问题，经处理后的ZnO压敏陶瓷可满足制造过电压保护器件或浪涌吸收器的性能要求；且本发明的处理方法简单易行，成本低廉，适合规模化生产，具有广阔的应用前景和巨大的商业价值。
申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所
地址：200050 上海市长宁区定西路1295号
国籍：CN
代理机构：上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：何葆芳
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