专利名称：用于过电压保护的装置和方法专利类型：发明专利发明人：E·J·考尼
申请号：CN201680010460.X申请日：20160314公开号：CN107408555A公开日：20171128
摘要：本发明提供了一种保护装置，其被放置在输入或信号节点与待保护节点之间的串联连接。如果待保护节点是相对较高的阻抗节点，例如MOSFET的栅极，则保护装置不需要承载很多电流。这使它能够被构建得非常快。这使得其能够快速响应过电压事件以便保护连接到待保护节点的电路。该保护装置可以与提供更大载流能力和可控触发电压的其它保护单元结合使用，但是其本身作用较慢。
申请人：亚德诺半导体集团
地址：百慕大群岛(英)哈密尔顿
国籍：BM
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：刘倜
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