专利名称：一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法专利类型：发明专利
发明人：张春华,周剑,李栋,向宏伟,高文丽,孟祥熙,辛国军申请号：CN201210467727.1申请日：20121119公开号：CN102983214A公开日：20130320
摘要：本发明公开了一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法，包括如下步骤：(1)表面清洗及织构化、热氧化成氧化硅膜形成掩膜、腐蚀开口形成电极栅线窗口、一次扩散形成栅线下重扩散、去氧化硅膜、二次扩散形成非栅线窗口区域浅扩散、清洗去磷硅玻璃；(2)在硅片的扩散面上热氧化一层氧化硅膜；(3)在上述氧化硅膜上沉积一层高折射率氮化硅膜；(4)在上述高折射率氮化硅膜上沉积一层低折射率氮化硅膜；(5)丝网印刷、烧结。本发明开发了采用由氧化硅膜/高折射率氮化硅膜/低折射率氮化硅膜组成新的减反射膜，使普通的丝网印刷设备的摄像头能识别对位点，解决了现有技术中丝网印刷与腐蚀开口形成电极栅线的对位问题。
申请人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
地址：215129 江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号
国籍：CN
代理机构：苏州创元专利商标事务所有限公司
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