专利名称：一种背面钝化晶体硅太阳电池的背电极结构及所用
网版
专利类型：发明专利发明人：沈辉,刘斌辉,刘家敬申请号：CN201310217988.2申请日：20130604公开号：CN103280468A公开日：20130904
摘要：本发明属于太阳能技术领域，具体涉及一种背面钝化晶体硅太阳电池背电极结构以及所用网版。该背面钝化晶体硅太阳电池的背电极结构，包括置于太阳电池硅基片背面的钝化介质膜，置于钝化介质膜上的背银电极和背铝电极，所述背银电极内部设有镂空区域，所述背铝电极与背银电极形成互补，所述背银电极与钝化介质膜的开膜区域不重叠或部分重叠，适用于背面钝化点接触或线接触晶体硅太阳电池。该背电极结构大大提高电池的背面钝化效果，开路电压以及短路电流等电学性能均得到有效改善；此外，该背电极结构制备成本低，能方便地与常规工业生产线相匹配，易于实现大批量的工业化生产。
申请人：中山大学
地址：510006 广东省广州市大学城外环东路132号中山大学工学院C501
国籍：CN
代理机构：广州新诺专利商标事务所有限公司
代理人：曹爱红
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