AlN薄膜的研究进展

Ａ１Ｎ薄膜的研究进展／祝斌等　・３０７・　ＡＩＮ薄膜的研究进展　祝斌，宋仁国　（浙江工业大学机械制造与自动化教育部重点实验室，杭州３１００１４）　摘要　Ａ１Ｎ是一种性能优异的宽带隙Ⅲ一Ｖ族氮化物半导体材料，在电、光和机械领域展现了极大的应用　前景。结合国内外研究的热点问题和各科研团体最新的研究成果，从Ａ１Ｎ的性质、ＡＩＮ薄膜的制备方法、国内　外Ａ１Ｎ薄膜的最新研究进展及Ａ１Ｎ薄膜的应用等４个方向进行了详细阐述。　关键词　Ａ１Ｎ薄膜制备方法应用　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｐｒｏｇｒｅｓｓ　０ｆ　ＡｌＮ　Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　ＺＨＵ　Ｂｉｎ，ＳＯＮＧ　Ｒｅｎｇｕｏ　（Ｋｅｙ　Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ　ｏｆ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ　ａｎｄ　Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｍｉｎｉｓｔｒｙ　ｏｆ　Ｅｄｕｃａｔｉｏｎ，　Ｚｈｅｊｉａｎｇ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ　ｏｆ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｈａｎｇｚｈｏｕ　３１００１４）　Ａｂｓｔｒａｃｔ　Ａ１Ｎ　ｉｓ　ａ　ｇｒｏｕｐ－ＵＩ—Ｖ—ｎｉｔｒｉｄｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ｗｉｔｈ　ｅｘｃｅｌｌｅｎｔ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ａｎｄ　ｗｉｄｅ　ｂａｎｄ－ｇａｐ，　ｉｔ　ｓｈｏｗｓ　ｇｒｅａｔ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　ｐｒｏｓｐｅｃｔ　ｅｓｐｅｃｉａｌｌｙ　ｉｎ　ｔｈｅ　ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ，ｏｐｔｉｃａｌ　ａｎｄ　ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　ｆｉｅｌｄｓ．Ｉｎ　ｔｈｉｓ　ａｒｔｉｃｌｅ，ｗｉｔｈ　ｔｈｅ　ｈｏｔ　ｉｓｓｕｅ　ｒｅｓｅａｒｃｈｅｄ　ａｔ　ｈｏｍｅ　ａｎｄ　ａｂｒｏａｄ，ａｎｄ　ｔｈｅ　ｌａｔｅｓｔ　ｒｅｓｕｌｔｓ　ｗｈｉｃｈ　ａｒｅ　ｄｉｓｃｕｓｓｅｄ　ｂｙ　ｔｈｅ　ｒｅｓｅａｒｃｈ　ｇｒｏｕｐｓ，ｔｈｅ　Ａ１Ｎ　ｎａｔｕｒｅ，　Ａ１Ｎ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍ　ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ，ｔｈｅ　ｌａｔｅｓｔ　ｒｅｓｅａｒｃｈ　ｐｒｏｇｒｅｓｓ　ａｔ　ｈｏｍｅ　ａｎｄ　ａｂｒｏａｄ　ａｎｄ　ｔｈｅ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　ｏｆ　Ａ１Ｎ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ａｒｅ　ｅｘ—　ｐｌａｉｎｅｄ　ｉｎ　ｄｅｔａｉｌ．　Ｋｅｙ　ｗｏｒｄｓ　ＡＩＮ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ，ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　ｍｅｔｈｏｄｓ，ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　０引言　１　ＡＩＮ薄膜的制备方法　Ａ１Ｎ是一种宽带隙Ⅲ一Ｖ族氮化物，在常温下禁带宽度　Ａ１Ｎ薄膜的制备方法有很多，其中常用的有化学气相沉　Ｅ一６．２ｅＶ，其原子间以共价键结合，通常是六方晶系中的纤　积法（ＣＶＤ）、磁控溅射法、脉冲激光沉积法（ＰＩ　Ｄ）、离子束蒸　锌矿结构。Ａ１Ｎ具有许多优良的物理化学性质（见表１），如　发法、分子束外延法（ＭＢＥ）和离子注入法等。　化学稳定性和绝缘性好、压电系数和导热率高、直带隙宽度　本文着重介绍化学气相沉积法、磁控溅射法和脉冲激光　比较宽、声波传播速度快、热膨胀系数低、力学强度优异、光　沉积法。　学和力学性能优异等，使其在机械、微电子、光学以及电子元　１．１化学气相沉积法　器件、声表面波器件（ＳＡｗ）和高频宽带通信器件等领域有着　化学气相沉积法（ＣＶＤ）包括金属有机化学气相沉积法　广阔的应用前景［１　］。本文结合国内外的研究成果，对Ａ１Ｎ　（ＭｏＣＶＤ）、等离子增强化学气相沉积法（ＰＥＣＶＤ）和低压化　薄膜的最新研究状况进行了全面介绍与评述，以便更进一步　学气相沉积法（ＬＰＣＶＤ），它是通过蒸镀材料或溅射材料来制　了解该类材料，促进其研究与应用。　备薄膜的，所制得的薄膜除了从原材料获得组成元素外，还　表１纤锌矿ＡＩＮ的物理性质　与基片发生化学反应。与其它方法相比，用化学气相沉积法　Ｔａｂｌｅ　１　Ｐｈｙｓｉｃａｌ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ｗｕｒｔｚｉｔｅ　ＡｌＮ　制备Ａ１Ｎ薄膜可以在较低的衬底温度下进行，并且沉积的薄　参数　数值　膜纯度高、致密而且很容易形成定向好的晶体形态［５］。　禁带宽度／ｅＶ　６．２８　宁金叶等　］利用金属有机化学气相沉积法在衬底温度　密度／（ｇ／ｃｍ３）　３．２３　为１０５０℃、ＴＭＡ流量为５．０×１０　／ｍｉｎ、ＮＨ３流量为２．０×　热膨胀系数／（×１Ｏ　Ｋ　）　Ａａ／ａ＝２，Ａｃ／ｃ＝３　１０　ｍ。／ｒａｉｎ、反应室总压为５．３×１Ｏ　Ｐａ时成功地制备了高　热导率／（Ｗ／（ｃｍ・Ｋ））　２．８５　度Ｃ轴择优取向的ＡｌＮ薄膜［２］，系统研究了工艺参数对薄膜　电阻率／（Ｑ・ｃｍ）　＞１Ｏ　。　结构特性的影响，并且获得了生长择优取向薄膜最佳的工艺　介电常数　４．６８　参数。研究结果表明，较高的衬底温度、较大的ＮＨ　流量及　折射率　２．１５　较低的反应室气压有利于六方晶型Ａ１Ｎ薄膜的生长。　＊国家自然科学基金资助项目（５０７７１０９３）　祝斌：男，１９８４年生，硕士生，主要从事ＰＬＤ薄膜材料制备的研究　Ｅ－ｍａｉｌ：ｚｈｕｂｉｎｌ０＠ｇｍａｉｌ．ｃｏｒｎ　・３０８・　材料导报　２０１０年５月第２４卷专辑１５　１．２磁控溅射法　磁控溅射（Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）又称为高速低温溅射，　是在磁场约束及增强下的等离子体中的工作气体离子（如　Ａｒ　）在靶阴极电场的加速下轰击阴极材料，使材料表面的原　子或分子飞离靶面，穿越等离子体区后在基片表面沉积、迁　移最终形成薄膜。磁控溅射法具有低温、高速、可制备出内　应力小和结构致密的Ａ１Ｎ薄膜等优点［６］，并且相对于其它制　备技术，所需要的设备价格比较低廉，易于实现工业化生产。　但该法也存在一些缺点，如用磁控溅射法制备ＡｌＮ薄膜时　ＡｌＮ靶体烧制较困难，而且用这种靶材沉积的薄膜往往会出　现氮含量偏低的情况，因此通常需要充人一定量的氮气作为　反应气体来避免成膜后样品出现缺氮的微粒，此方法为磁控　反应溅射［６］，在诸多磁控溅射法中，磁控反应溅射是应用较　广泛的一种。　于毅等口　采用直流磁控反应溅射法，通过降低薄膜含氧　量成功地在多种衬底材料上制备了较高质量的Ａ１Ｎ薄膜，薄　膜呈现（０Ｏ２）面择优取向。研究表明，含氧量过高，氧极易与　铝反应进入Ａ１Ｎ薄膜的晶格结构中形成缺陷，对薄膜性能产　生很大影响；同时，衬底材料对薄膜性能也有重要影响，当衬　底表面状况较好、晶格失配较小时可得到较高质量的膜。　１．３脉冲激光沉积法　脉冲激光沉积法制备薄膜是２Ｏ世纪八九十年代兴起的　一门新技术，其基本原理是利用高能脉冲激光烧蚀靶材形成　高温等离子体，当等离子体到达基体表面后作用形成薄膜。　脉冲激光沉积法具有诸多优点，如可在较低衬底温度下进行　制备、能蒸镀高熔点材料、能制备多元素薄膜及复杂层结构　薄膜等　引，因此极大地受到了研究者的青睐。目前脉冲激光　沉积法已被公认为是制备薄膜的最好方法之一。　近几年，利用脉冲激光沉积法已成功地在一些晶格失配　的衬底上、较低的衬底温度下外延生长了质量较高的薄膜。　吕磊等嘲利用ＰＬＤ法，在Ｐ－Ｓｉ＜１００＞衬底上、室温下成功地生　长了具有高取向度的Ａ１Ｎ薄膜，并研究了沉积气压对薄膜质　量的影响，结果表明，在５ｘ１０　～５．ＯＰａ的Ｎ２氛围中，结晶　度随气压的增大显著提高，晶粒粒径也随之增大，但样品的　表面质量较差，粗糙度增大。　２　ＡｌＮ薄膜的最新研究进展　２．１　高取向度的ＡＩＮ薄膜制备技术　近几年，高取向度ＡｌＮ薄膜生长技术的研究受到了人们　的高度重视，并已取得较满意的成果，但这些方法绝大多数　都是在高温下进行的，目前亟待解决的难题是如何在较低的　衬底温度下制备高取向度薄膜。高取向Ａ１Ｎ薄膜具有许多　优异的性能，如沿Ｃ轴取向的Ａ１Ｎ具有非常好的压电性和声　表面波高速传输性。同时，不同晶面择优取向的ＡＩＮ薄膜的　物理化学性质不同，其表面状态、负电子亲和性、压电应力系　数均依赖于晶面取向，如Ａ１Ｎ薄膜ａ轴和ｃ轴的表面声波传　输速度分别为５５００ｍ／ｓ和ｌ１３５４ｍ／ｓ。　Ｇｕｓｔａｖｏ　Ｓｄｎｃｈｅｚ　ＢＥ　］采用化学气相沉积法于Ｓｉ（１００）衬　底上在７ＯＯ￣Ｃ衬底温度下成功地制备出＜０００１＞面择优取向的　ＡｌＮ薄膜，并研究了衬底温度对薄膜微观结构和薄膜应力的　影响。结果表明，当衬底温度低于３００℃时所制得的薄膜大　多为非晶态；在７００℃衬底温度下及较长的时间能够沉积　＜ＯＯＯｌ＞面择优取向且性能良好的Ａ１Ｎ薄膜；衬底温度是影响　薄膜沉积的关键因素，较高的温度易于制得性能良好的薄　膜。　Ｇａｕｒａｖ　Ｓｈｕｋｌａ等Ｅ１１］采用脉冲激光沉积法于室温下在不　同的氮压环境中制得高ｃ轴取向的ＡｌＮ薄膜，研究了氮压对　薄膜微观结构的影响。结果表明，在较高的氮压环境下，ＡｌＮ　薄膜能很好地结晶，并呈现（１０１）面择优生长；随压强的减　小，Ａ１Ｎ薄膜从（１Ｏ１）面转向（００２）面择优生长；同时，压强对　薄膜晶粒的大粒径和表面结构有很大影响，随压强增大，晶　粒粒径由２７０ｍｍ增到大４７１ｍｍ。　２．２单晶ＡＩＮ薄膜生长技术　单晶Ａ１Ｎ常被作为ＧａＮ、ＩｎＮ等材料生长的外延缓冲　层，它能极大地减少其与ＳｉＣ、Ｓｉ等单晶衬底的晶格失配和热　膨胀系数的差异，提高ＧａＮ、ＩｎＮ等材料的性能［１　。同时，单　晶态ＡｌＮ具有一些独特的物理化学性质，可以作为某些特殊　器件的压电层或者表面材料。因此，单晶ＡｌＮ薄膜生长技术　也是国内外研究的热点。　用分子束外延法沉积单晶Ａ１Ｎ薄膜的研究最多，其基本　过程是：在超高真空腔内，原材料通过高温蒸发，在单晶衬底　上生长一层与衬底晶向相同的单晶薄膜，一般的分子束外延　法生长系统配有多种监控设备，可以对生长过程中衬底温　度、生长速度、膜厚等精确监控。Ｂ．Ｌｉｕ等【１３＿利用射频分子　束外延法在红宝石（ＯＯＯ１）衬底上生长出单晶Ａ１Ｎ薄膜，并用　夹层生长法减少了膜层与衬底的线位错，研究了快速退火法　对薄膜表面形貌和晶向的影响。研究表明，经过快速退火可　以改善薄膜的微观结构，并且在９００～１２００℃衬底温度下快　速退火，晶粒会随温度的升高而逐渐长大。　此外，吕慧民等Ｅ　在自制不锈钢反应釜中利用催化剂二　茂铁使无水三氯化铝与叠氮化钠在无溶剂的条件下直接反　应，成功地合成出六方单晶Ａ１Ｎ薄膜。用该工艺制备的ＡＩＮ　材料均具有半高宽小于５ｎｍ的尖锐紫光区域内的辐射峰，而　该辐射峰不是由Ａ１Ｎ薄膜的本征缺陷引起的，而是由材料表　面的氧杂质所致。　２．３　ＡＩＮ复合薄膜的制备技术　掺杂Ａ１Ｎ薄膜材料有着优越的光学和力学性能，可以作　为发光二极管、电致发光器件等发光层的理想材料，因此掺　杂Ａ１Ｎ薄膜具有很高的研究和应用价值。掺杂稀土元素是　研究Ａ１Ｎ薄膜发光性能的重点，因为稀土元素有着特殊的电　子结构，具有极其特殊的光谱性质。１９９４年Ｗｉｌｓｏｎ等口　采　用金属有机物分子束外延（ＭＯＭＢＥ）法在ＧａＡｓ衬底上制备　出多晶ＡＩＮ薄膜，并采用离子注入法将Ｅｒ注入到薄膜中，在　１．５４“ｍ处观察到光致发光现象。巴西学者Ａ　Ｒ　ＺａｎａｔｔａＬｌ副　利用射频磁控溅射法制备了掺Ｓｍ、Ｅｕ、Ｙｂ等稀土元素的几　种氮化铝非晶薄膜，分别在不退火和退火条件下研究了各种　薄膜的光学性能。在掺Ｓｍ离子薄膜的光致发光现象中可观　察到５７５ｎｍ、６１５ｎｍ、６６４ｎｍ和７３０ｎｍ　４种发光光谱，分别是　Ａ１Ｎ薄膜的研究进展／祝斌等　・３０９・　致发光器件　；用Ａ１Ｎ与ＧａＮ、ＩｎＮ组成三元系，其禁带宽　度在０．７～６．２ｅＶ之间可调，适于制作从红外到紫外光的发　光器件和探测器件　；ＡＩＮ还能与ＧａＮ形成合金Ａ１ＧａＮ，从　而用于制造基于Ａ１ＧａＮ／ＧａＮ的电子和光电器件。　由Ｓｍ离子的４Ｇ５／２—６Ｈ５／２、４Ｇ５／２—６Ｈ７，ｌ２、４Ｇ５／２—６Ｈ９／２和　４Ｇ　／　一６Ｈ…　跃迁引起的，而掺Ｅｕ离子的光致发光，由于Ｅｕ　离子的５Ｄ　一７ＦＩ、５Ｄｏ一７Ｆ：和５Ｄｏ一７　Ｆ４跃迁出现了　５４５ｎｍ、６１５ｎｍ和７１０ｎｍ　３种发光光谱，掺Ｙｂ离子则可在　９８０ｎｍ处出现发光光谱。该学者通过在３ＯＯ～１０５０℃退火还　发现，掺杂薄膜的光学性能都得到很大改善，特别研究了几　种光致发光光谱，其谱峰能量都随退火温度的升高而增加。　４结语　Ａ１Ｎ作为典型的Ⅲ一Ｖ氮化物半导体材料具有独特的物　理化学性能，引起了国内外研究者广泛的兴趣。目前，国内　学者侧重于Ａ１Ｎ薄膜制备工艺的研究，并已基本达到了国际　另外，利用ＡｌＮ材料的高硬度特性，通过结合其它物质　可制备超硬多层膜，目前，研究较多的有ＴｉＮ／Ａ１Ｎ、Ａ１Ｎ／　ＣｒＮ、ＡｌＮ／Ｓｉ。Ｎ　和ＶＮ／Ａ１Ｎ等纳米多层膜＿】　。研究者主要　是通过选择不同膜材组合、改变制备工艺参数或者进行材料　后处理（如退火）来控制多层膜内部的微观结构，从而获得稳　定性好、力学等物理性能优异的超硬薄膜。对于不同材料和　不同制备方法，其工艺参数的选择亦不相同。乌晓燕等＿１。］利　用反应磁控溅射法制得Ａ１Ｎ／Ｓｉ。Ｎ　纳米多层膜，即先在衬底　上沉积约８０ｎｍ的ＡｌＮ过渡层后交错镀制Ｓｉ。Ｎ　层（膜厚控　制在０．３～２．３ｎｍ）和Ａ１Ｎ层（４．０ｎｍ），多层膜中纤锌矿结构　的ｈ—Ａ１Ｎ具有使Ｓ　Ｎ　晶体化的模板作用，当Ｓｉ。Ｎ　膜厚小　于ｌｎｍ时被强制晶化成与Ａ１Ｎ结构相同的赝形晶体，使整　个膜样形成了强烈的（０００１）取向的共格外延生长结构，与此　相应，多层膜的硬度得到了明显提高，最高达到３２．８ＧＰａ，而　Ｓｉ。Ｎ　随膜厚的增加而呈现非晶生长，纳米多层膜的共格外　延生长受到破坏，其硬度也随之降低。　３　ＡｌＮ薄膜的应用　Ａ１Ｎ作为一种具有优异性能的Ⅲ一Ｖ氮化物半导体材　料，已引起人们极大的重视。目前，其应用主要体现在以下　几个方面。（１）压电材料。由于氮化铝材料具有电子漂移饱　和速率高、热导率高、介质击穿强度高等优异特性，其在高　频、高温、高压电子器件领域有着巨大的应用潜力，而纤锌矿　结构的ＡｌＮ薄膜具有高速率声波学的压电特性，其表面声学　波速达到６×１０　ｅｍ／ｓ，在已知的压电材料中是最高的，并具　有较大的机电耦合系数，因此氮化铝是作为吉赫兹级声表面　波器件压电薄膜的优选材料，可用于制备高频表面波器件，　特别适合于制作声波传感器、吉赫兹频带ＳＡｗ器件和ＢＡｗ　器件。文献［１９］指出，用Ａ１Ｎ压电薄膜取代ＺｎＯ薄膜制作　吉赫兹频带ＳＡＷ器件，其测试性能优于相应的ＺｎＯ薄膜　ＳＡＷ器件。（２）外延缓冲层材料。由于Ａ１Ｎ具有高热导、低　热膨胀以及较宽带隙的优点，而且与ＧａＮ、ＩｎＮ晶格有较好　的匹配，用ＡｌＮ作为缓冲层能显著提高ＧａＮ、ＩｎＮ外延薄膜　质量，明显改善其电学与光学性能，因此成为ＧａＮ、ＩｎＮ薄膜　外延缓冲层的理想材料，而ＧａＮ作为第三代半导体材料，是　国内外研究的热点。例如，在蓝宝石上外延生长一层ＡｌＮ可　以作为二维生长ＧａＮ层的模板层，减少因ＧａＮ与蓝宝石衬　底之间大的晶格失配而引起的应变，大大提高了ＧａＮ器件　的性能和寿命。（３）发光层材料。ＡｌＮ可以作为蓝光紫外光　的发光材料，如果进行掺杂或者制作复合膜，发光光谱将覆　盖整个可见光区域。例如，掺Ｅｒ的ＡｌＮ薄膜可以实现在　１．５４ｙｍ处红外发光和在可见绿光区域发光，以此可以制成电　水平，但在实际应用中其器件设计、功能测试等方面的研究　较少，而国外学者的很多成果都已经运用ＡｌＮ材料设计了功　能器件，性能基本达到了要求。ＡｌＮ薄膜的研究大多数还只　局限于实验室中，走上工业化应用还需要很长的一段时间，　因此，需要在以下几个方面做出努力。　（１）制备工艺要求苛刻。众多制备法都需要在高真空下　通人高纯氩气和氮气作为保护气或者反应气，并且通常需要　将衬底加热到较高的温度，而较高的温度可能会导致衬底材　料的热损伤，因此，这些条件都不易于进行工业化生产。　（２）成本极高。要达到上述的工艺要求，势必会导致薄　膜生长设备复杂、造价昂贵，同时，薄膜生长速度较慢，单个　样品造价很高。　参考文献　Ｂａｋａｌｏｖａ　Ｓ，ｅｔ　ａ１．Ｓｕｒｆａｃｅ　ｍｏｒｐｈｏｌｏ　ｏｆ　ＡｌＮ　ｆｉｌｍｓ　ｓｙｎｔｈｅｓｉｚｅｄ　ｂｙ　ｐｕｌｓｅｄ　ｌａｓｅｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［Ｊ］．Ｖａｃｕｕｍ，２０１０，８４：１５５　２　Ｍｕｈａｍｍａｄ　Ｍａｑｂｏｏｌ　Ｔａｒｉｐ　Ａｌｉ．Ｉｎｔｅｎｓｅ　ｒｅｄ　ｃａｔｈｏ　ａｎｄ　ｐｈｏ—　ｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ　ｆｒｏｍ　２００ｎｍ　ｔｈｉｃｋ　ｓａｍａｒｉｕｍ　ｄｏｐｅｄ　ａｍｏｒ—　ｐｈｏｕｓ　Ａ１Ｎ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ［Ｊ］．Ｎａｎｏｓｃａｌｅ　Ｒｅｓ　Ｌｅｔｔ，２００９（４）：７４８　３　Ｐｌａｃｉｄｉ　Ｍ，ｅｔ　ａ１．Ｈｉｇｈ　ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ　ｓｔｒａｉｎｅｄ　ＡｌＮ　ｏｎ　Ｓｉ（１１　１）ｒｅ—　ｓｏｎａｔｏｒｓ［Ｊ］．Ｓｅｎｓ　Ａｃｔｕａｔｏｒｓ　Ａ，２００９，１５０：６４　４　Ｙｕ　Ｌｅｓｈｕ，ｅｔ　ａ１．Ｉｎ－ｓｉｔｕ　ｃｈｌｏｒｉｄｅ－ｇｅｎｅｒａｔｅｄ　ｒｏｕｔｅ　ｔｏ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　Ａ１Ｎ　ｎａｎｏｓｔｒｕｅｔｕｒｅｓ　ｏｎ　Ｓｉ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ［Ｊ］．Ｊ　Ｐｈｙｓ　Ｃｈｅｍ　Ｃ，　２００９，１１３：１４２４５　５　宁金叶，刘兴钊，邓新武．ｆ轴择优取向Ａ１Ｎ薄膜的制备研　究［Ｊ］．电子元件与材料，２００９，２８（５）：３６　６　Ｓｏｎｇ　Ｘｉｕｆｅｎｇ，Ｆｕ　Ｒｅｎｌｉ，Ｈｅ　Ｈｏｎｇ．Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　ｅｆｆｅｃｔｓ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　Ａ１Ｎ　ｆｉｌｍ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ｂｙ　ｒａｄｉｏ　ｆｒｅｑｕｅｎ—　ｃｙ　ｒｅａｃｔｉｖｅ　ｍａｇｎｅｔｒｏｎ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ［Ｊ］．Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｅｎｇ，　２００９，８６：２２１７　７　于毅，任天令，等．硅基Ａ１Ｎ薄膜制备技术与测试分析［Ｊ］．　半导体学报，２００５，２６（１）：４２　８　程成，薛催岭，宋仁国．不同环境气压下激光沉积制备锗纳　米薄膜ＥＪ］．材料工程，２００８，１０：２６８　９　吕磊，李清山，等．室温下脉冲激光沉积制备高取向度ＡＩＮ　薄膜［Ｊ］．光电子・激光，２００７，１８（ｔ０）：１２１２　１０　Ｇｕｓｔａｖｏ　Ｓｄｎｃｈｅｚ　Ｒ　Ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ａｎｄ　ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　ｐｒｏｐｅｒ—　ｔｉｅｓ　ｏｆ　ＡｌＮ　ｆｉｌｍｓ　ｏｂｔａｉｎｅｄ　ｂｙ　ｐｌａｓｍａ　ｅｎｈａｎｃｅｄ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａ—　ｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［Ｊ］．Ｊ　Ｍａｔｅｒ　Ｓｃｉ，２００９，４４：６１２５　（下转第３３３页）　添加剂和制备工艺对溶胶一凝胶法合成堇青石陶瓷析晶机理的影响／王少洪等　ｔｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎ　ｉｎ　ｃｏｒｄｉｅｒｉｔｅ　ｇｅｌ　ｓｙｎｔｈｅｓｉｚｅｄ　ｂｙ　ｎｏｎ－ｈｙｄｒｏ一　・３３３・　１　６　Ｓｈｉ　Ｚｈｉｍｉｎｇ．Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｃｏｒｄｉｅｒｉｔｅ　ｃｅｒａｍｉｃ　ｕｓｉｎｇ　ｍｉｘ—　ｌｙｔｉｃ　ｓｏｌ—ｇｅｌ　ｒｏｕｔｅ［Ｊ］．Ｃｅｒａｍ　Ｉｎｔ，２００７，３３：１２６３　６　Ｌｉｕ　Ｊｉｎｇｘｕａｎ，Ｘｕｅ　Ｑｕｎｈｕ，Ｚｈｏｕ　Ｙｏｎｇｓｈｅｎｇ．Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅｓ　ｏｆ　Ｌｉ２　ＣＯａ　ａｎｄ　ＢａＣ０３　ｏｎ　ｐｒｏｐｅｒｔｙ　ｏｆ　ｓｙｎｔｈｅｓｉｚｅｄ　ｃｏｒｄｉｅｒｉｔｅｒＪ］．　Ｒｅｆｒａｃｔｏｒｙ　Ｍａｔｅｒ，２００７，４１（６）：４２１　ｔｕｒｅｓ　ｏｆ　Ｃｅ４　ｍｏｄｉｆｉｅｄ　ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　ｐｏｗｄｅｒ　ａｎｄ　ｏｘｉｄｅ　ｐｏｗ一　ｄｅｒｓ［Ｊ￣．Ｊ　Ｒａｒｅ　Ｅａｒｔｈｓ，２００６，２４（１２）：２６３　１　７　Ｗａｎｇ　Ｎａｉｇａｎｇ，Ｌｕｏ　Ｌａｎ，ｅｔ　ａ１．Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ　ａｎｄ　ｍｉｃｒｏ—　ｗａｖｅ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ＭｇＯ－Ａ１２Ｏ３一Ｓｉ０２一ＴｉＯ２一Ｃｅ０２　７　Ｓｗａｉｎ　Ｍ　ｖ．陶瓷的结构与性能［Ｍ］．郭景坤，译．北京：科学　出版社，１９９８：４４８　８　Ｓｈｉ　Ｚｈｉｍｉｎｇ，Ｌｉａｎｇ　Ｋａｉｒｎｉｎｇ．Ｅｆｆｅｃｔｓ　ｏｆ　ｅｌｅｍｅｎｔｓ～ｄｏｐｉｎｇ　ｏｎ　ｇｌａｓｓ－ｃｅｒａｍｉｃｓ［Ｊ］．Ｊ　Ｃｈｉｎｅｓｅ　Ｃｅｒａｍ　Ｏｃ，２００３，３１（７）：７０７Ｓ　１８　Ｄｏｎｇ　Ｊｉｐｅｎｇ，Ｃｈｅｎ　Ｗｅｉ，Ｌｎｏ　Ｌａｎ．Ｅｆｆｅｃｔｓ　ｏｆ　Ｃｒ２Ｏ３　ａｄｄｉｔｉｖｅ　ｏｎ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ　ｂｅｈａｖｉｏｒ　ｏｆ　ＭｇＯ－Ａ１２　Ｏａ—Ｓｉ０２一Ｔｉ０２　ｇｌａｓｓ　ｔｈｅ　ｃｒｙｓｔａｌ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ａｎｄ　ｔｈｅｒｍａｌ　ｅｘｐａｎｓｉｏｎ　ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ　ｏｆ　ｃｏｒｄｉｅｒｉｔｅｌ　Ｊ　１．Ａｄｖ　Ｃｅｒａｍ，２０００，８４（２）：１９　９　Ｌｕ　Ａｎｘｉａｎ，Ｗａｎｇ　Ｙｕ．Ｅｆｆｅｃｔｓ　ｏｆ　ａｌｋａｌｉｓ　ｏｎ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ　ａｎｄ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ＭｇＯ－Ａ１２Ｏ３一ＳｉＯ２　ｓｙｓｔｅｍ　ｇｌａｓｓ　ｃｅｒａｍｉｃｓ　ｃｅｒａｍｉｃｓ［Ｊ］．Ｊ　Ｉｎｏｒｇａｎ　Ｍａｔｅｒ，２００６，２１（５）：１０６０　１９　Ｔｈｏｍａｓ　Ｐ，ｅｔ　ａ１．Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ　ａｎｄ　ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ　ｃｈａｒｃｅｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｃｕ　ａｎｄ　Ｃｕ　ｄｅｏｐｅｄ　ｃｏｒｄｉｅｒｉｔｅｓ［Ｊ］．Ｍａｔｅｒ　Ｒｅｓ　Ｂｕｌｌ，１　９９５，　３０（２）：１４１　［Ｊ］．Ｊ　Ｃｅｎｔ　Ｓｏｕｔｈ　Ｕｎｉｖ，２００８，３９（１）：４２　１Ｏ　Ｈｕ　Ｙｉｃｈｅｎ，Ｙｕ　Ｆａｎｇ，Ｚｈａｏ　Ｘｕｅｃｈｅｎ．Ｓｔｕｄｙ　ｏｎ　ｅｆｆｅｃｔｓ　ｏｆ　ａｌ—　ｋａｌｉｓ　ｏｎ　ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　ａｎｄ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｃａｌ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ｌｏｗ　ｄｉｅｌｅｃ一　２０　Ｍｅｈｒｏｔｒａ　Ｙ，ｅｔ　ａ１．Ｎｅｗ　ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ｆｏｒ　ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ　ｏｐｔｉｃｓ［Ｊ］．　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｅｎｇ，１９８６，２５（４）：５１３　２１　Ｅｓｍａｔ　Ｍ　Ａ　Ｈａｍｚａｗｙ，Ａｓｈｒａｆ　Ｆ　Ａｌｉ．Ｓｏｌ—ｇｅｌ　ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｔｒｉｃ　１ＯＳＳ　ｇｌａｓｓｅｓ［Ｊ］．Ｇｌａｓｓ　Ｅｎａｍｅｌ，２００５，３３（４）：４２　１１　Ｙａｎｇ　Ｃｈｅｎｇｆｕ．Ｔｈｅ　ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ　ｏｆ　ＭｇＯ－ＣａＯ－　Ａ１２０３一Ｓｉ０２　ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ　ｐｏｗｄｅｒ　ｍａｄｅ　ｂｙ　ｓｏｌ—ｇｅｌ　ｍｅｔｈｏｄ［Ｊ］．　Ｃｅｒａｍ　Ｉｎｔ，１９９８，２４：２４３　ｂｏｒｏｎ－ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ　ｃｏｒｄｉｅｒｉｔｅ　Ｍｇ２（Ａ１４　）Ｓｉ５Ｏｌ８　ａｎｄ　ｉｔｓ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ［Ｊ］．Ｍａｔｅｒ　Ｃｈａｒａｃｔ，２００６，５７：４１４　２２　Ｙａｎｇ　Ｃｈｅｎｇｆｕ，Ｃｈｅｎｇ　Ｃｈｅｎｍｉｎ．Ｔｈｅ　ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ　ｏｆ　Ｂ２０３　ｏｎ　ｔｈｅ　ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ　ｏｆ　ＭｇＯ－ＣａＯ－Ａ１２Ｏ３　Ｓｉ０２　ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ　ｇｌａｓｓ　ｐｏｗ一　１２　Ｃｈｅｎｇ　Ｃｈｅｎｍｉｎ，Ｙａｎｇ　Ｃｈｅｎｇｆｕ．Ｔｈｅ　ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ　ｏｆ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａ—ｔｉｏｎ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｆｌｅｘｕｒａｌ　ｓｔｒｅｎｇｔｈ　ＭｇＯＣａＯ－Ａ１２　Ｏ３一ＳｉＯ２　ｃｏｍｐｏ－　ｄｅｒ［Ｊ］．Ｃｅｒａｍ　Ｉｎｔ，１９９９，２５：３８３　２３　Ｅｍｒｅ　Ｙａｌａｍａｅ，Ｓｅｄａｔ　Ａｋｋｕｒｔ．Ａｄｄｉｔｉｖｅ　ａｎｄ　ｉｎｔｅｎｓｉｖｅ　ｇｒｉｎ－　ｓｉｔｅ　ｇｌａｓｓ［Ｊ］．Ｃｅｒａｍ　Ｉｎｔ，１９９９，２５：５８１　１３　Ｃｈｉ　Ｙｕｓｈａｎ，ｅｔ　ａ１．Ｒｏｌｅ　ｏｆ　Ｌａ２Ｏ３　ｉｎ　ＭｇＯ－Ａ１２Ｏ３一Ｓｉ０２一Ｔｉ０２　ｄｉｎｇ　ｅｆｆｅｃｔｓ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ　ｏｆ　ｃｏｒｄｉｅｒｉｔｅ［Ｊ］．Ｃｅｒａｍ　Ｉｎｔ，　２００６，３２：８２５　ｇｌａｓｓ—ｃｅｒａｍｉｃｓ［Ｊ］．Ｊ　Ｉｎｏｒｇａｎ　Ｍａｔｅｒ，２００２，１７（２）：３４８　１４　Ｗａｎｇ　Ｘｉａｏｆｅｎｇ，Ｓｈｉ　Ｚｈｉｍｉｎｇ．Ａｆｆｅｃｔｓ　ｏｆ　Ｌａ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｐｈａｓｅ　ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ　ａｎｄ　ｐｒｏ—ｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ｃｏｒｄｉｅｒｉｔｅ　ｃｅｒａｍｉｃｓ［Ｊ］．Ｆｕｎｅｔ　Ｍａｔｅｒ，２００５，３６（８）：１２５４　２４　Ｓｅｎ　Ｍｅｉ，Ｙａｎｇ　Ｊｕａｎ，Ｆｅｒｒｅｉｒａ　Ｊ　Ｍ　Ｆ．Ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ　ｅｖｏｌｕ一　ｔｉｏｎ　ｉｎ　ｓｏｌ—ｇｅｌ　ｄｅｒｉｖｅｄ　Ｐ２Ｏｓ—ｄｏｐｅｄ　ｃｏｒｄｉｅｒｉｔｅ　ｐｏｗｄｅｒｓ［Ｊ￣．Ｊ　Ｅｕｒ　Ｃｅｒａｍ　ｏｅ，２０００（２０）：２１９１Ｓ　２５　Ｃｈｅｎ　Ｇｕｏｈｕａ，Ｉ　ｉｕ　Ｘｉｎｙｕ．Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ　ｏｆ　ｈｉｇｈ　ｅｎｅｒｇｙ　ｂａｌｌ　ｍｉｌ一　１　５　Ｃｈｅｎ　Ｇｕｏｈｕａ，Ｌｉｕ　Ｘｉｎｙｕ．Ｅｆｆｅｃｔ　ｏｆ　ｃｅｒｉａ　ｏｎ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ＤｒｏＩ　ｌｉｎｇ　ｏｎ　ｐｈａｓｅ　ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ　ａｎｄ　ｔｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎ　ｍｅｃｈａｎｉｓｍ　ｏｆ　ｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ｃｏｒｄｉｅｒｉｔｅ－ｂａｓｅｄ　ｇｌａｓｓ—ｃｅｒａｍｉｃｓ［Ｊ］．Ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｅｃ—　ｔｒｉｃｓ　Ａｃｏｕｓｔｏｏｐｔｉｃｓ，２００６，２８（２）：２０２　、　、　＼　、　＼　、、　＼、　、　、　、、）　、、　ｃｏｒｄｉｅｒｉｔｅ　ｃｅｒａｍｉｃｓｌ－Ｊ］．Ｃｈｉｎｅｓｅ　Ｊ　Ｎｏｎｆｅｒｒｏｕｓ　Ｍｅｔａｌ，２００３，　１３（６）：１４２１　、、　、　、、）　、、）　、、）　、、：　＼、　、　、、　、、　ｐ＼　、、）　、、　、、　ｐ、、　、、）　、、　、、　＼、　ｐ、、　、、　、、）　（上接第３０９页）　１　１　Ｇａｕｒａｖ　Ｓｈｕｋｌａ，Ａｌｉｋａ　ｋｈａｒｅ．Ｄｅｐｅｎｄｅｎｃｅ　ｏｆ　Ｎ２　ｐｒｅｓｓｕｒｅ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｃｒｙｓｔａｌ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ａｎｄ　ｓｕｒｆａｃｅ　ｑｕａｌｉｔｙ　ｏｆ　Ａ１Ｎ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ｖｉａ　ｐｕｌｓｅｄ　ｌａｓｅｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ　ａｔ　ｒｏｏｍ　ｔｅｒｎ—　Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ，１９９４，６５：９９５　１　６　Ｚａｍａｔｔａ　Ａ　Ｒ．Ｅｆｆｅｃｔ　ｏｆ　ｔｈｅｒｍａｌ　ａｎｎｅａｌｉｎｇ　ｔｒｅａｔｍｅｎｔｓ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ｒａｒｅ－ｅａｒｔｈ－ｄｏｐｅｄ　ＡＩＮ　ｆｉｌｍｓ［Ｊ］．Ａｐｐｔ　Ｐｈｙｓ，２００９，４２：０２５１０９　ｐｅｒａｔｕｒｅ［Ｊ］．Ａｐｐｌ　Ｓｕｒｆ　Ｓｃｉ，２００８，２５５：２０５７　１　７　Ｊｏｎｇ－Ｋｅｕｋ　Ｐａｒｋ，ｅｔ　ａ１．Ｔｈｅｒｍａｌ　ｓｔａｂｉｌｉｔｙ　ｏｆ　ｎａｎｏ－ｌａｙｅｒｅｄ　１２赵有文，董志远，等．升华法生长Ａ１Ｎ体单晶初探［Ｊ］．半导　体学报，２００６，２７（７）：１２４１　１３　Ｌｉｕ　Ｂ，Ｇａｏ　Ｊ，Ｗｕ　Ｋ　Ｍ，ｅｔ　ａ１．Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　ａｎｄ　ｒａｐｉｄ　ｔｈｅｒｍａｌ　ａｎｎｅａｌｉｎｇ　ｏｆ　Ａ１Ｎ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍｓ　ｇｒｏｗｎ　ｂｙ　ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　ｂｅａｍ　ｅｐｉ—　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ａｎｄ　ｈａｒｄｎｅｓｓ　ｏｆ　ＴｉＡｌＮ／Ｓｉ３　Ｎ４　ｎａｎｏｓｃａｌｅ　ｍｕｈｉｌａｙ—　ｅｒｅｄ　ｃｏａｔｉｎｇ［Ｊ２．Ｍａｔｅｒ　Ｌｅｔｔ，２００９，６３：１６７４　１８乌晓燕，孑Ｌ明，等．Ｓｉ。Ｎ　在ｈ－Ａ１Ｎ上的晶体化与Ａ１Ｎ／Ｓｉ。Ｎ　纳米多层膜的超硬效应ｔ－Ｊ］．物理学报，２００９，５８（４）：２６５４　１　９　Ｏｋａｎｏ　Ｈ，ｅｔ　ａ１．Ｒｅｓｉｓｔ　ａｎｄ　ｓｉｄｅｗａｌｌ　ｆｉｌｍ　ｒｅｍｏｖａｌ　ａｆｔｅｒ　ａｌｕｍｉ—　ｔａｘｙ［Ｊ］．Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｃｏｍｍｕｎ，２００９，１４９：７１５　１４吕惠民，陈光德，等．六方单晶氮化铝薄膜的合成与紫外发　光机理［Ｊ］．光子学报，２００７，３６（９）：１６８７　１５　Ｗｉｌｓｏｎ　Ｒ　Ｇ，Ｓｃｈｗａｒｔｚ　Ｒ　Ｎ，Ａｂｅｍａｔｈｙ　Ｃ　Ｒ，ｅｔ　ａ１．１５４ｕｍ　．ｎＵＩＴＩ　ｒｅａｃｔｉｖｅ　ｉｏｎ　ｅｔｃｈｉｎｇ（ＲＩＥ）ｅｍｐｌｏｙｉｎｇ　ｆｌｕｏｒｉｎｅ＋Ｈ２　Ｏ　ｄｏｗｎ　ｓｔｒｅａｍ　ａｓｈｉｎｇ［Ｊ］．Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ，１９９３，３２：４０５２　２ｏ佟洪波，巴德纯，等．氮化铝薄膜发光性能研究进展ｌ－Ｊ］．真　空，２００７，４４（２）：２２　ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｅｅｎｅｅ　ｆｒｏｍ　Ｅｒ－ｉｍｐｌａｎｔｅｄ　ＧａＮ　ａｎｄ　Ａ１Ｎ［Ｊ］．