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一种低电压半导体放电管

2023-07-07 来源:步旅网
(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)实用新型专利

(21)申请号 CN201120029749.0 (22)申请日 2011.01.28

(71)申请人 上海芯导电子科技有限公司

地址 201203 上海市张江高科技园区蔡伦路1623号B幢504室

(10)申请公布号 CN201985102U

(43)申请公布日 2011.09.21

(72)发明人 欧新华;孙志斌;杨利君 (74)专利代理机构

代理人

(51)Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

(54)发明名称

一种低电压半导体放电管

(57)摘要

本实用新型涉及一种低电压半导体放

电管,包括N1型衬底、正面P扩散区、背面P扩散区、正面P扩散区内的N+扩散区、背面P扩散区内的N+扩散区,还包括设于所述N1型衬底的正面和背面的N2扩散区。采用本实用新型所述低电压半导体放电管,通过采用大面积扩散法,调整衬底浓度,将衬底浓度降低至10Ω/□以下,从而实现低电压半导体放电管,实现断态峰值电压V 法律状态

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态

法律状态公告日

2011-09-21 2013-03-27

授权

法律状态信息

授权

专利权的终止

法律状态

专利权的终止

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说明书

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