(12)实用新型专利
(21)申请号 CN201120029749.0 (22)申请日 2011.01.28
(71)申请人 上海芯导电子科技有限公司
地址 201203 上海市张江高科技园区蔡伦路1623号B幢504室
(10)申请公布号 CN201985102U
(43)申请公布日 2011.09.21
(72)发明人 欧新华;孙志斌;杨利君 (74)专利代理机构
代理人
(51)Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
(54)发明名称
一种低电压半导体放电管
(57)摘要
本实用新型涉及一种低电压半导体放
电管,包括N1型衬底、正面P扩散区、背面P扩散区、正面P扩散区内的N+扩散区、背面P扩散区内的N+扩散区,还包括设于所述N1型衬底的正面和背面的N2扩散区。采用本实用新型所述低电压半导体放电管,通过采用大面积扩散法,调整衬底浓度,将衬底浓度降低至10Ω/□以下,从而实现低电压半导体放电管,实现断态峰值电压V 法律状态
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
法律状态公告日
2011-09-21 2013-03-27
授权
法律状态信息
授权
专利权的终止
法律状态
专利权的终止
权利要求说明书
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说明书
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